[实用新型]一种IGBT真空共晶炉

权利要求书

1.一种 IGBT 真空共晶炉，包括共晶炉本体（1），其特征在于：所述共晶炉本体（1）的底端对称设有支撑柱（2），共晶炉本体（1）的顶端活动连接有盖体（3），共晶炉本体（1）的内部中间位置设有隔板（4），隔板（4）的内部等距离设有冷却水管（5），隔板（4）的顶端开设有凹槽（6），隔板（4）的上方设有与凹槽（6）相适配的接料板（7），接料板（7）的底端与高度调节结构连接，接料板（7）的内部等距离设有加热管（8），共晶炉本体（1）的外壁顶部安装有支撑板（9），支撑板（9）的顶端设有电动推杆一（10），电动推杆一（10）的顶端连接有横板（11），横板（11）为 L 形结构，横板（11）的一端设有夹持座（12），夹持座（12）上设有夹持组，横板（11）上安装有电动推杆二（13），电动推杆二（13）的输出轴连接有推板（14），推板（14）位于夹持座（12）的内顶端。

2.根据权利要求 1 所述的一种 IGBT 真空共晶炉，其特征在于：所述共晶炉本体（1）的顶端一侧开设有放置槽，放置槽的内部设有电机一（20），电机一（20）的输出轴与盖体（3）的一端连接。

3.根据权利要求 1 所述的一种 IGBT 真空共晶炉，其特征在于：所述夹持座（12）为 U形结构，夹持座（12）的内壁均对称开设有安装槽（15）。

4.根据权利要求 1 所述的一种 IGBT 真空共晶炉，其特征在于：所述夹持组包括母筒（16）、活动杆（17）、夹持板（18）和弹簧（19），安装槽（15）的内部穿插有母筒（16），母筒（16）的内部穿插有活动杆（17），两个活动杆（17）之间通过夹持板（18）连接，母筒（16）与活动杆（17）之间通过弹簧（19）连接。

5.根据权利要求 1 所述的一种 IGBT 真空共晶炉，其特征在于：所述高度调节结构包括内螺纹筒（21）、螺纹块（22）、高度调节杆（23）、电机二（24）、齿轮一（25）和齿轮二（26），共晶炉本体（1）的底端安装有内螺纹筒（21），内螺纹筒（21）的内部螺纹连接有螺纹块（22），螺纹块（22）的顶端设有高度调节杆（23），高度调节杆（23）的顶端贯穿隔板（4）与接料板（7）的底端连接，内螺纹筒（21）的外部设有位于共晶炉本体（1）底端的齿轮二（26），共晶炉本体（1）的底端设有电机二（24），电机二（24）的输出轴连接有与齿轮二（26）啮合连接的齿轮一（25）。

6.根据权利要求 5 所述的一种 IGBT 真空共晶炉，其特征在于：所述内螺纹筒（21）的外部套设有套环（27），套环（27）的外壁对称设有密封罩（28），密封罩（28）与共晶炉本体（1）转动连接。

7.根据权利要求 5 所述的一种 IGBT 真空共晶炉，其特征在于：所述高度调节杆（23）与隔板（4）的连接处对称设有凸起，高度调节杆（23）的外壁两侧对称开设有滑道，凸起位于滑道的内部。