[实用新型]一种IGBT真空共晶炉有效
申请号: | 202123140033.0 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN217009123U | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 姜新诚;王兆敏 | 申请(专利权)人: | 青岛晨立电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K3/08 |
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地址: | 266000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 真空 共晶炉 | ||
本实用新型涉及焊接设备技术领域,且公开了一种IGBT真空共晶炉,解决了共晶炉中的芯片在投放时,大多通过工作人员手动放置芯片,由于共晶炉内部温度高会灼伤工作人员,进而存在安全隐患的问题,其包括共晶炉本体,所述共晶炉本体的底端对称设有支撑柱,共晶炉本体的顶端活动连接有盖体,共晶炉本体的内部中间位置设有隔板,隔板的内部等距离设有冷却水管,隔板的顶端开设有凹槽,隔板的上方设有与凹槽相适配的接料板,接料板的底端与高度调节结构连接,接料板的内部等距离设有加热管,共晶炉本体的外壁顶部安装有支撑板;本设计避免人工投料,避免共晶炉本体内部高温灼伤工作人员,进而实现对工作人员的保护。
技术领域
本实用新型属于焊接设备技术领域,具体为一种 IGBT 真空共晶炉。
背景技术
真空共晶炉是芯片焊接加工领域中的一种常见设备,其采用真空腔体的方式,将芯片放置在腔体内的载台上,利用加热管和冷却管的升温及降温处理,完成芯片焊接过程。
然而在芯片投放时,大多通过工作人员手动放置芯片至共晶炉中,由于共晶炉内部高温会灼伤工作人员,进而存在安全隐患。
实用新型内容
针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本实用新型提供一种 IGBT 真空共晶炉,有效的解决了上述背景技术中共晶炉中的芯片在投放时,大多通过工作人员手动放置芯片,由于共晶炉内部温度高会灼伤工作人员,进而存在安全隐患的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种 IGBT 真空共晶炉,包括共晶炉本体,所述共晶炉本体的底端对称设有支撑柱,共晶炉本体的顶端活动连接有盖体,共晶炉本体的内部中间位置设有隔板,隔板的内部等距离设有冷却水管,隔板的顶端开设有凹槽,隔板的上方设有与凹槽相适配的接料板,接料板的底端与高度调节结构连接,接料板的内部等距离设有加热管,共晶炉本体的外壁顶部安装有支撑板,支撑板的顶端设有电动推杆一,电动推杆一的顶端连接有横板,横板为 L 形结构,横板的一端设有夹持座,夹持座上设有夹持组,横板上安装有电动推杆二,电动推杆二的输出轴连接有推板,推板位于夹持座的内顶端。
优选的,所述共晶炉本体的顶端一侧开设有放置槽,放置槽的内部设有电机一,电机一的输出轴与盖体的一端连接。
优选的,所述夹持座为 U 形结构,夹持座的内壁均对称开设有安装槽。
优选的,所述夹持组包括母筒、活动杆、夹持板和弹簧,安装槽的内部穿插有母筒,母筒的内部穿插有活动杆,两个活动杆之间通过夹持板连接,母筒与活动杆之间通过弹簧连接。
优选的,所述高度调节结构包括内螺纹筒、螺纹块、高度调节杆、电机二、齿轮一和齿轮二,共晶炉本体的底端安装有内螺纹筒,内螺纹筒的内部螺纹连接有螺纹块,螺纹块的顶端设有高度调节杆,高度调节杆的顶端贯穿隔板与接料板的底端连接,内螺纹筒的外部设有位于共晶炉本体底端的齿轮二,共晶炉本体的底端设有电机二,电机二的输出轴连接有与齿轮二啮合连接的齿轮一。
优选的,所述内螺纹筒的外部套设有套环,套环的外壁对称设有密封罩,密封罩与共晶炉本体转动连接。
优选的,所述高度调节杆与隔板的连接处对称设有凸起,高度调节杆的外壁两侧对称开设有滑道,凸起位于滑道的内部。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
(1) 、在工作中,通过设置有共晶炉本体、支撑柱、盖体、隔板、冷却水管、凹槽、接料板、加热管、支撑板、电动推杆一、横板、夹持座、夹持组、电动推杆二和推板,实现对芯片的夹持,同时实现芯片的投放,进而避免人工投料,避免共晶炉本体内部高温灼伤工作人员,进而实现对工作人员的保护;
(2) 、通过内螺纹筒、螺纹块、高度调节杆、电机二、齿轮一和齿轮二的设计,便于实现接料板的高度调节,进而方便接料板的接料工作,进而为共晶炉本体对芯片的加工带来方便。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造