[实用新型]一种IGBT真空共晶炉有效

专利信息
申请号: 202123140033.0 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN217009123U 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 姜新诚;王兆敏 申请(专利权)人: 青岛晨立电子有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;B23K3/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 真空 共晶炉
【说明书】:

实用新型涉及焊接设备技术领域,且公开了一种IGBT真空共晶炉,解决了共晶炉中的芯片在投放时,大多通过工作人员手动放置芯片,由于共晶炉内部温度高会灼伤工作人员,进而存在安全隐患的问题,其包括共晶炉本体,所述共晶炉本体的底端对称设有支撑柱,共晶炉本体的顶端活动连接有盖体,共晶炉本体的内部中间位置设有隔板,隔板的内部等距离设有冷却水管,隔板的顶端开设有凹槽,隔板的上方设有与凹槽相适配的接料板,接料板的底端与高度调节结构连接,接料板的内部等距离设有加热管,共晶炉本体的外壁顶部安装有支撑板;本设计避免人工投料,避免共晶炉本体内部高温灼伤工作人员,进而实现对工作人员的保护。

技术领域

本实用新型属于焊接设备技术领域,具体为一种 IGBT 真空共晶炉。

背景技术

真空共晶炉是芯片焊接加工领域中的一种常见设备,其采用真空腔体的方式,将芯片放置在腔体内的载台上,利用加热管和冷却管的升温及降温处理,完成芯片焊接过程。

然而在芯片投放时,大多通过工作人员手动放置芯片至共晶炉中,由于共晶炉内部高温会灼伤工作人员,进而存在安全隐患。

实用新型内容

针对上述情况,为克服现有技术的缺陷,本实用新型提供一种 IGBT 真空共晶炉,有效的解决了上述背景技术中共晶炉中的芯片在投放时,大多通过工作人员手动放置芯片,由于共晶炉内部温度高会灼伤工作人员,进而存在安全隐患的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种 IGBT 真空共晶炉,包括共晶炉本体,所述共晶炉本体的底端对称设有支撑柱,共晶炉本体的顶端活动连接有盖体,共晶炉本体的内部中间位置设有隔板,隔板的内部等距离设有冷却水管,隔板的顶端开设有凹槽,隔板的上方设有与凹槽相适配的接料板,接料板的底端与高度调节结构连接,接料板的内部等距离设有加热管,共晶炉本体的外壁顶部安装有支撑板,支撑板的顶端设有电动推杆一,电动推杆一的顶端连接有横板,横板为 L 形结构,横板的一端设有夹持座,夹持座上设有夹持组,横板上安装有电动推杆二,电动推杆二的输出轴连接有推板,推板位于夹持座的内顶端。

优选的,所述共晶炉本体的顶端一侧开设有放置槽,放置槽的内部设有电机一,电机一的输出轴与盖体的一端连接。

优选的,所述夹持座为 U 形结构,夹持座的内壁均对称开设有安装槽。

优选的,所述夹持组包括母筒、活动杆、夹持板和弹簧,安装槽的内部穿插有母筒,母筒的内部穿插有活动杆,两个活动杆之间通过夹持板连接,母筒与活动杆之间通过弹簧连接。

优选的,所述高度调节结构包括内螺纹筒、螺纹块、高度调节杆、电机二、齿轮一和齿轮二,共晶炉本体的底端安装有内螺纹筒,内螺纹筒的内部螺纹连接有螺纹块,螺纹块的顶端设有高度调节杆,高度调节杆的顶端贯穿隔板与接料板的底端连接,内螺纹筒的外部设有位于共晶炉本体底端的齿轮二,共晶炉本体的底端设有电机二,电机二的输出轴连接有与齿轮二啮合连接的齿轮一。

优选的,所述内螺纹筒的外部套设有套环,套环的外壁对称设有密封罩,密封罩与共晶炉本体转动连接。

优选的,所述高度调节杆与隔板的连接处对称设有凸起,高度调节杆的外壁两侧对称开设有滑道,凸起位于滑道的内部。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

(1) 、在工作中,通过设置有共晶炉本体、支撑柱、盖体、隔板、冷却水管、凹槽、接料板、加热管、支撑板、电动推杆一、横板、夹持座、夹持组、电动推杆二和推板,实现对芯片的夹持,同时实现芯片的投放,进而避免人工投料,避免共晶炉本体内部高温灼伤工作人员,进而实现对工作人员的保护;

(2) 、通过内螺纹筒、螺纹块、高度调节杆、电机二、齿轮一和齿轮二的设计,便于实现接料板的高度调节,进而方便接料板的接料工作,进而为共晶炉本体对芯片的加工带来方便。

附图说明

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