[实用新型]一种锗单晶炉用防泄漏引流装置有效
申请号: | 202123142758.3 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN216427479U | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 吕远芳 | 申请(专利权)人: | 保定三晶电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/08;C30B29/06 |
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地址: | 071000 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锗单晶炉用防 泄漏 引流 装置 | ||
本实用新型公开了一种锗单晶炉用防泄漏引流装置,包括外置炉框、内炉体和引流气囊。本实用新型锗单晶炉用防泄漏引流装置,当外置炉框内部的气压过高时,气体通过进气口进入到外管框中并对密封垫进行挤压,密封垫在挤压的过程中,密封垫中心的通气孔扩张变大,气体通过通气孔后进入到气囊本体中,气体通过排气总管进入到排出管与回流管内,转动排出管上的梅花钮,安插柱从阀门框体内向外移出,气体通过透气孔后向外排出,同理转动回流管上的梅花钮,气体沿着回流管重新回到外置炉框内部,该装置能够在锗单晶炉内部气压过大时,主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集,保持锗单晶炉内部气压的稳定性。
技术领域
本实用新型涉及锗单晶炉技术领域,具体为一种锗单晶炉用防泄漏引流装置。
背景技术
锗单晶做为重要的半导体材料,制备锗单晶硅的过程中需要用到的设备是锗单晶炉,锗单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化,并采用直拉法生长无错位锗单晶硅的设备,但是在对锗单晶硅的使用过程中发现,当锗单晶炉内部的气压过大时,容易导致锗单晶炉内的气体增压外泄,从而影响锗单晶炉的正常使用。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种锗单晶炉用防泄漏引流装置,能够在锗单晶炉内部气压过大时,主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集,保持锗单晶炉内部气压的稳定性,可以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种锗单晶炉用防泄漏引流装置,包括外置炉框、内炉体和引流气囊,所述外置炉框的内部设有内炉体,所述内炉体的顶部设有引流气囊,所述引流气囊与内炉体之间采用隔板隔开;
所述引流气囊包括气囊本体、进气管、排气总管、排出管、回流管和控制阀,所述气囊本体的底端连接有进气管,所述气囊本体的一侧连接有排气总管,排气总管与气囊本体的内部相互连通,所述排气总管远离气囊本体的一端连接有排出管,所述排出管的下方设有回流管,所述回流管与排气总管之间相互连通,所述排出管和回流管上均设有控制阀。
优选的,所述进气管包括外管框、密封垫、通气孔、进气口和出气口,所述外管框的内部设有密封垫,所述密封垫的内部开设有通气孔,所述外管框的底部开设有进气口,所述外管框的顶端安插在气囊本体中,外管框的顶部开设有出气口。
优选的,所述控制阀包括阀门框体、透气孔、安插柱、外置螺纹和梅花钮,所述阀门框体的两侧均开设有透气孔,所述阀门框体的内部设有安插柱,所述安插柱的外侧开设有外置螺纹,所述安插柱的外侧固定连接有梅花钮。
优选的,所述密封垫为采用橡胶材质制成的构件,外管框的内部共设有四层密封垫,密封垫的外侧与外管框之间固定粘连连接,密封垫内部的通气孔在常态下保持封闭状态。
优选的,所述阀门框体的内壁上设有内置螺纹槽,安插柱上的外置螺纹与内置螺纹槽之间相互咬合。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本实用新型锗单晶炉用防泄漏引流装置,当外置炉框内部的气压过高时,气体通过进气口进入到外管框中并对密封垫进行挤压,密封垫在挤压的过程中,密封垫中心的通气孔扩张变大,气体通过通气孔后进入到气囊本体中,气体通过排气总管进入到排出管与回流管内,转动排出管上的梅花钮,安插柱从阀门框体内向外移出,气体通过透气孔后向外排出,同理转动回流管上的梅花钮,气体沿着回流管重新回到外置炉框内部,该装置能够在锗单晶炉内部气压过大时,主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集,保持锗单晶炉内部气压的稳定性。
附图说明
图1为本实用新型的剖视图;
图2为本实用新型引流气囊的结构示意图;
图3为本实用新型进气管的剖视图;
图4为本实用新型控制阀的剖视图。
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