[实用新型]一种锗单晶炉用防泄漏引流装置有效

专利信息
申请号: 202123142758.3 申请日: 2021-12-10
公开(公告)号: CN216427479U 公开(公告)日: 2022-05-03
发明(设计)人: 吕远芳 申请(专利权)人: 保定三晶电子材料有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20;C30B29/08;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 071000 河北省保*** 国省代码: 河北;13
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 锗单晶炉用防 泄漏 引流 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种锗单晶炉用防泄漏引流装置,包括外置炉框、内炉体和引流气囊。本实用新型锗单晶炉用防泄漏引流装置,当外置炉框内部的气压过高时,气体通过进气口进入到外管框中并对密封垫进行挤压,密封垫在挤压的过程中,密封垫中心的通气孔扩张变大,气体通过通气孔后进入到气囊本体中,气体通过排气总管进入到排出管与回流管内,转动排出管上的梅花钮,安插柱从阀门框体内向外移出,气体通过透气孔后向外排出,同理转动回流管上的梅花钮,气体沿着回流管重新回到外置炉框内部,该装置能够在锗单晶炉内部气压过大时,主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集,保持锗单晶炉内部气压的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及锗单晶炉技术领域,具体为一种锗单晶炉用防泄漏引流装置。

背景技术

锗单晶做为重要的半导体材料,制备锗单晶硅的过程中需要用到的设备是锗单晶炉,锗单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨电阻加热器将硅半导体材料溶化,并采用直拉法生长无错位锗单晶硅的设备,但是在对锗单晶硅的使用过程中发现,当锗单晶炉内部的气压过大时,容易导致锗单晶炉内的气体增压外泄,从而影响锗单晶炉的正常使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种锗单晶炉用防泄漏引流装置,能够在锗单晶炉内部气压过大时,主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集,保持锗单晶炉内部气压的稳定性,可以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种锗单晶炉用防泄漏引流装置,包括外置炉框、内炉体和引流气囊,所述外置炉框的内部设有内炉体,所述内炉体的顶部设有引流气囊,所述引流气囊与内炉体之间采用隔板隔开;

所述引流气囊包括气囊本体、进气管、排气总管、排出管、回流管和控制阀,所述气囊本体的底端连接有进气管,所述气囊本体的一侧连接有排气总管,排气总管与气囊本体的内部相互连通,所述排气总管远离气囊本体的一端连接有排出管,所述排出管的下方设有回流管,所述回流管与排气总管之间相互连通,所述排出管和回流管上均设有控制阀。

优选的,所述进气管包括外管框、密封垫、通气孔、进气口和出气口,所述外管框的内部设有密封垫,所述密封垫的内部开设有通气孔,所述外管框的底部开设有进气口,所述外管框的顶端安插在气囊本体中,外管框的顶部开设有出气口。

优选的,所述控制阀包括阀门框体、透气孔、安插柱、外置螺纹和梅花钮,所述阀门框体的两侧均开设有透气孔,所述阀门框体的内部设有安插柱,所述安插柱的外侧开设有外置螺纹,所述安插柱的外侧固定连接有梅花钮。

优选的,所述密封垫为采用橡胶材质制成的构件,外管框的内部共设有四层密封垫,密封垫的外侧与外管框之间固定粘连连接,密封垫内部的通气孔在常态下保持封闭状态。

优选的,所述阀门框体的内壁上设有内置螺纹槽,安插柱上的外置螺纹与内置螺纹槽之间相互咬合。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

本实用新型锗单晶炉用防泄漏引流装置,当外置炉框内部的气压过高时,气体通过进气口进入到外管框中并对密封垫进行挤压,密封垫在挤压的过程中,密封垫中心的通气孔扩张变大,气体通过通气孔后进入到气囊本体中,气体通过排气总管进入到排出管与回流管内,转动排出管上的梅花钮,安插柱从阀门框体内向外移出,气体通过透气孔后向外排出,同理转动回流管上的梅花钮,气体沿着回流管重新回到外置炉框内部,该装置能够在锗单晶炉内部气压过大时,主动对锗单晶炉内部进行气压的引流并收集,保持锗单晶炉内部气压的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型的剖视图;

图2为本实用新型引流气囊的结构示意图;

图3为本实用新型进气管的剖视图;

图4为本实用新型控制阀的剖视图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定三晶电子材料有限公司,未经保定三晶电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123142758.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top