[实用新型]一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置有效
申请号: | 202123148263.1 | 申请日: | 2021-12-15 |
公开(公告)号: | CN216354117U | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 葛时建;刘翔;蒙国荪;杨国运 | 申请(专利权)人: | 桂林立德智兴电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/683;H01L21/60 |
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地址: | 541004 广西壮族自治区桂林市*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 双摆臂 搬运 吸头 点画 装置 | ||
本实用新型涉及一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置,包括固定架,所述固定架的一侧设置有进料仓,所述固定架的另一侧设置有收料仓,所述固定架的正面设置有双摆臂搬运装置;所述双摆臂搬运装置包括连接于固定架正面的晶盘一、中转台一、晶盘二和中转台二,所述晶盘一的顶部设置有与中转台一相适配的摆臂一,所述晶盘二的顶部设置有与中转台一和中转台二相适配的摆臂二。该基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置,通过摆臂一将晶盘一上的芯片吸起,旋转180°后传送至中转台一上,再通过摆臂二吸取中转台一上的芯片旋转180°放至中转台二上,然后通过双吸头同时吸起晶盘二和中转台二上的芯片,运送至焊接区,达到了焊接效率高的优点。
技术领域
本实用新型涉及芯片加工技术领域,具体为一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置。
背景技术
芯片,又称微电路、微芯片、集成电路,芯片是指内含集成电路的硅片,体积很小,常常是计算机或其他电子设备的一部分,芯片在电子学中是一种把电路小型化的方式,并通常制造在半导体晶圆表面上,前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路,另有一种厚膜混成集成电路是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
现如今,芯片已被广泛的应用于人们的生产生活中,而芯片的生产过程中需要对其进行焊接处理,现有的点画锡装置上料效率较慢,严重的影响了点画锡装置的焊接效率,严重的影响了芯片的生产效率,不能满足生产需求,故而提出一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置来解决上述中所提出的问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置,具备焊接效率高等优点,解决了点画锡装置上料效率较慢,严重的影响了芯片的生产效率的问题。
为实现上述焊接效率高的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置,包括固定架,所述固定架的一侧设置有进料仓,所述固定架的另一侧设置有收料仓,所述固定架的正面设置有双摆臂搬运装置;
所述双摆臂搬运装置包括连接于固定架正面的晶盘一、中转台一、晶盘二和中转台二,所述晶盘一的顶部设置有与中转台一相适配的摆臂一,所述晶盘二的顶部设置有与中转台一和中转台二相适配的摆臂二,所述固定架靠近收料仓的一侧设置有双吸头。
进一步,所述晶盘一、中转台一、晶盘二和中转台二与固定架的连接方式均为固定连接。
进一步,所述晶盘一和晶盘二的形状大小均相同,且晶盘一和晶盘二的顶部均放置有芯片。
进一步,所述双吸头与晶盘二和中转台二相适配。
进一步,所述固定架的正面且位于晶盘一的顶部设置有加热轨道,所述摆臂一和摆臂二均与加热轨道固定连接。
进一步,所述加热轨道的顶部设置有焊接区域,所述焊接区域与双吸头相适配。
进一步,所述加热轨道的顶部设置有与焊接区域相适配的点画锡装置,所述点画锡装置包括安装于加热轨道顶部的画锡机构、点锡机构和压锡机构。
与现有技术相比,本实用新型提供了一种基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置,具备以下有益效果:
该基于双摆臂搬运的双吸头点画锡装置,通过摆臂一将晶盘一上的芯片吸起,旋转180°后传送至中转台一上,再通过摆臂二吸取中转台一上的芯片旋转180°放至中转台二上,然后通过双吸头同时吸起晶盘二和中转台二上的芯片,运送至焊接区,分别放置在轨道的基板上完成焊接,达到了焊接效率高的优点,解决了点画锡装置上料效率较慢,严重的影响了芯片的生产效率的问题。
附图说明
图1为本实用新型结构立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造