[实用新型]一种半导体场效应MOSFET二极管有效
| 申请号： | 202123151498.6 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN216648288U | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 劳廉旭;洪盛兰 | 申请（专利权）人： | 深圳市登辰易科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12;H01L23/367;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 mosfet 二极管 | ||
1.一种半导体场效应MOSFET二极管，包括安装架(1)、主体(2)、右引脚(3)、固定引脚(4)和活动引脚(5)，其特征在于，所述主体(2)的两侧对称固定安装有活动板(7)，所述安装架(1)的两侧对称开设有限位滑槽(8)，所述主体(2)通过活动板(7)活动安装在安装架(1)的内部，所述活动板(7)滑动安装在限位滑槽(8)的内部，所述主体(2)的一端固定安装有右引脚(3)，所述主体(2)的另一端等距固定安装有固定引脚(4)，所述固定引脚(4)的两端对称开设有引脚滑槽(6)，所述活动引脚(5)的一端的两侧对称固定安装有滑杆(11)，所述活动引脚(5)的一端通过滑杆(11)活动安装在固定引脚(4)的内部。
2.根据权利要求1所述的一种半导体场效应MOSFET二极管，其特征在于：所述安装架(1)的底部的两侧对称开设有凹槽(10)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体场效应MOSFET二极管，其特征在于：所述限位滑槽(8)的内壁的两侧对称开设有滑槽，所述活动板(7)的两端滑动安装在滑槽的内部。
4.根据权利要求1所述的一种半导体场效应MOSFET二极管，其特征在于：所述活动板(7)形状为十字型，所述活动板(7)的底部固定安装有弹簧(9)，所述弹簧(9)固定安装在限位滑槽(8)的内部。
5.根据权利要求1所述的一种半导体场效应MOSFET二极管，其特征在于：所述固定引脚(4)的俯视图形状为“U”型，所述固定引脚(4)的数量为3个。
6.根据权利要求1所述的一种半导体场效应MOSFET二极管，其特征在于：所述滑杆(11)滑动安装在引脚滑槽(6)的内部。
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