[实用新型]一种半导体场效应MOSFET二极管有效

专利信息
申请号: 202123151498.6 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN216648288U 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 劳廉旭;洪盛兰 申请(专利权)人: 深圳市登辰易科技有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/12;H01L23/367;H01L29/78
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地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 场效应 mosfet 二极管
【说明书】:

实用新型提供一种半导体场效应MOSFET二极管,包括安装架、主体、右引脚、固定引脚和活动引脚,所述主体的两侧对称固定安装有活动板,所述安装架的两侧对称开设有限位滑槽,该半导体场效应MOSFET二极管通过活动引脚和滑杆在固定引脚内部的滑动,方便对活动引脚和固定引脚的有效长度和角度进行调节,不需要对其进行修剪,使用方便,通过安装架能够增加对主体的保护,避免在焊接或者取下主体时,对主体造成损伤,在取下主体时,只需对焊接点进行加热,主体和活动板在弹簧的弹力下上升并与电路板分离,操作简单,实用性高,并且通过凹槽和安装架方便对主体进行散热,能够提高该MOSFET二极管使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET二极管技术领域,具体为一种半导体场效应MOSFET二极管。

背景技术

MOSFET二极管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体,MOSFET二极管结构简单,操作方便,在电子制造业MOSFET二极管等电子元件的体积较小,在对其进行焊接时,通常会使用镊子等进行夹持,而镊子等工具会对MOSFET二极管造成损伤,导致MOSFET二极管损坏无法使用,并且无法对MOS管进行定位和限位,MOSFET二极管是直接焊接在电路板上,MOSFET二极管的引脚较长,需要进行修剪,在取下MOSFET二极管时需要使用工具,操作不便。

为此,本实用新型提供一种半导体场效应MOSFET二极管。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足,本实用新型目的是提供一种半导体场效应MOSFET二极管,以解决上述背景技术中提出的问题,本实用新型能够对活动引脚和固定引脚的有效长度进行调节,并且方便将主体与电路板上的焊盘进行分离,操作简单,使用方便,能够延长其使用寿命。

为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种半导体场效应MOSFET二极管,包括安装架、主体、右引脚、固定引脚和活动引脚,所述主体的两侧对称固定安装有活动板,所述安装架的两侧对称开设有限位滑槽,所述主体通过活动板活动安装在安装架的内部,所述活动板滑动安装在限位滑槽的内部,所述主体的一端固定安装有右引脚,所述主体的另一端等距固定安装有固定引脚,所述固定引脚的两端对称开设有引脚滑槽,所述活动引脚的一端的两侧对称固定安装有滑杆,所述活动引脚的一端通过滑杆活动安装在固定引脚的内部。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述安装架的底部的两侧对称开设有凹槽。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述限位滑槽的内壁的两侧对称开设有滑槽,所述活动板的两端滑动安装在滑槽的内部。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述活动板形状为十字型,所述活动板的底部固定安装有弹簧,所述弹簧固定安装在限位滑槽的内部。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述固定引脚的俯视图形状为“U”型,所述固定引脚的数量为3个。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述滑杆滑动安装在引脚滑槽的内部。

本实用新型的有益效果:本实用新型一种半导体场效应MOSFET二极管通过活动引脚和滑杆在固定引脚内部的滑动,方便对活动引脚和固定引脚的有效长度和角度进行调节,不需要对其进行修剪,使用方便,通过安装架能够增加对主体的保护,避免在焊接或者取下主体时,对主体造成损伤,在取下主体时,只需对焊接点进行加热,主体和活动板在弹簧的弹力下上升并与电路板分离,操作简单,实用性高,并且通过凹槽和安装架方便对主体进行散热,能够提高该MOSFET二极管使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型一种半导体场效应MOSFET二极管结构示意图;

图2为本实用新型一种半导体场效应MOSFET二极管剖面示意图;

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