[实用新型]一种超薄硅片倒角用吸盘有效
| 申请号： | 202123162033.0 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN216413038U | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吴晓峰;程美娇;黄笑容;孙新利 | 申请（专利权）人： | 浙江中晶新材料研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州西木子知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33325 | 代理人： | 周孝林 |
| 地址： | 313100 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 硅片 倒角 吸盘 | ||
1.一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，包括：
基体（1）；以及
设于所述基体（1）上方的上盖（2）；
所述上盖（2）上均匀布置有微孔；
所述基体（1）与上盖（2）相通，使得上盖（2）上表面形成吸附区域。
2.根据权利要求1所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述上盖（2）与基体（1）之间形成气体通道（6）。
3.根据权利要求2所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述上盖（2）上均布有若干与所述气体通道（6）相通的所述微孔。
4.根据权利要求2所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述上盖（2）与基体（1）之间设有用于使两者之间形成所述气体通道（6）的支撑件（7）。
5.根据权利要求4所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述支撑件（7）设置多个，其均布设置于所述基体（1）上。
6.根据权利要求1所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述基体（1）上设有抽气结构（3）。
7.根据权利要求1所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述基体（1）的边部设有形成匹配容置所述上盖（2）的挡壁（4）。
8.根据权利要求1所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述上盖（2）为采用陶瓷材料制成的构件。
9.根据权利要求1或8所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述基体（1）为采用陶瓷材料制成的构件。
10.根据权利要求9所述的一种超薄硅片倒角用吸盘，其特征在于，所述基体（1）与所述上盖（2）之间采用烧结、电镀、粘接方式中的一种进行密封固定。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
