[实用新型]一种超薄硅片倒角用吸盘有效
申请号: | 202123162033.0 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN216413038U | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 吴晓峰;程美娇;黄笑容;孙新利 | 申请(专利权)人: | 浙江中晶新材料研究有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 杭州西木子知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33325 | 代理人: | 周孝林 |
地址: | 313100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 硅片 倒角 吸盘 | ||
本实用新型提供了半导体技术领域中的一种超薄硅片倒角用吸盘,包括:基体;以及设于所述基体上方的上盖;所述上盖上均匀布置有微孔;所述基体与上盖相通,使得上盖上表面形成吸附区域。本实用新型通过在上盖上均匀布置的微孔,使基体产生的吸附力均匀的分散至上盖底部各位置处的微孔,而后吸力均匀的分散至上盖上表面,并形成吸附区域,对放置的硅片进行吸附,保证了硅片装放后硅片表面受力的均匀性,解决了因硅片吸力集中而导致的硅片破损、翘曲等,具有装载超薄硅片稳定性高、倒角精度高等优点。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种超薄硅片倒角用吸盘。
背景技术
硅片在制作时,需要进行倒角,来增加硅片边缘表面的机械强度。
中国专利CN209021794U公开了:机架,所述机架设置有第一安装区域,第二安装区域和第三安装区域;倒角组件,所述倒角组件安装设置在所述第一安装区域上;横向驱动组件,所述横向驱动组件安装设置在所述第三安装区域上;纵向驱动组件,所述纵向驱动组件滑动设置在所述横向驱动组件上;以及吸附组件,所述吸附组件连接设置在所述纵向驱动组件上;所述左右定位组件与所述位置感应组件之间形成归零区域。
上述技术方案中,倒角时将倒角组件直接反向转动安装在第一安装区域的丝杆座上实现安装,容易导致倒角组件使用过程中发生松动,进而影响倒角精度,而且倒角组件产生吸力的通道为中心负压通道,导致在吸附硅片时受力集中在中心而出现破片、翘曲等。
本申请提供了一种保证装载硅片时的吸力均匀且安装稳定的结构设计,解决了装载硅片时的受力集中导致破片、翘曲等,同时解决了吸盘对安装区域安装不稳定的技术问题,保证了硅片高效稳定的倒角加工。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足之处,提供一种超薄硅片倒角用吸盘,通过大小均匀布置在上盖上的微孔,经基体提供吸附力,并均匀的到达吸附通道,并透过微孔到达上盖上表面形成吸附区域,使硅片下表面通过吸附区域均匀紧密的吸附在上盖表面,使硅片表面紧密的吸附在上盖表面,解决了背景技术所述的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种超薄硅片倒角用吸盘,其特征在于,包括:基体;以及设于所述基体上方的上盖;所述上盖上均匀布置有微孔;所述基体与上盖相通,使得上盖上表面形成吸附区域。
进一步的,所述上盖与基体之间形成气体通道。
进一步的,所述上盖上均布有若干与所述气体通道相通的所述微孔。
进一步的,所述上盖与基体之间设有用于使两者之间形成所述气体通道的支撑件。
进一步的,所述支撑件设置多个,其均布设置于所述基体上。
进一步的,所述基体上设有抽气结构。
进一步的,所述基体的边部设有形成匹配容置所述上盖的挡壁。
进一步的,所述上盖为采用陶瓷材料制成的构件。
进一步的,所述基体为采用陶瓷材料制成的构件。
进一步的,所述基体与所述上盖之间采用烧结、电镀、粘接方式中的一种进行密封固定。
本实用新型的有益效果在于:
(1)本实用新型通过在上盖上均匀布置的微孔,使基体产生的吸附力均匀的分散至上盖底部各位置处的微孔,而后吸力均匀的分散至上盖上表面,并形成吸附区域,对放置的硅片进行吸附,保证了硅片装放后硅片表面受力的均匀性,解决了因硅片吸力集中而导致的硅片破损、翘曲等;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造