[实用新型]非易失三维存储单元、芯片组件和电子设备

说明书

本申请的实施例公开了一种非易失三维存储单元、芯片组件和电子设备。易失性存储芯片用于存储数据。接口芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片三维堆叠连接。非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片和接口芯片中至少之一三维堆叠连接，以形成非易失三维存储单元。其中，接口芯片包括通信协议电路，通信协议电路用于存储通信协议。数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式写入易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一；和，数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式从易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一被读取。通过上述设置，提高了数据的传输效率，增大了处理数据的带宽，并且提高了数据存储的可靠性。

技术领域

本申请的实施例涉及数据存储的技术领域，尤其涉及一种非易失三维存储单元、一种非易失三维存储芯片组件和一种电子设备。

背景技术

相关技术中，在进行数据存储时，需要将数据发送至主板等元器件，通过主板等元器件上存储的通信协议对数据进行处理之后，再将数据写入存储器中存储。在从存储器中读取数据时，同样需要将数据发送至主板等元器件，通过主板等元器件上存储的通信协议对数据进行处理之后，再将数据向外发送。

数据通过主板等元器件处理之后，才能够实现存储和读取，延长了数据的传输路径，增加了数据的传输时间，降低了数据存储和读取的效率。

此外，在存储器断电时，需要将存储器中存储的数据传输至非易失性存储芯片中进行存储，来避免数据丢失，进一步延长了数据的传输路径，降低了数据的传输效率，并且增加了数据丢失的风险。

实用新型内容

为了解决上述技术问题中至少之一，本申请的实施例提供了一种非易失三维存储单元、一种数据的存储方法、一种非易失三维存储芯片组件和一种电子设备。

第一方面，本申请的实施例提供了一种非易失三维存储单元，包括易失性存储芯片，易失性存储芯片用于存储数据；接口芯片，接口芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片三维堆叠连接；非易失性存储芯片，非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与易失性存储芯片和接口芯片中至少之一三维堆叠连接，以形成非易失三维存储单元；其中，接口芯片包括通信协议电路，通信协议电路用于存储通信协议；数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式写入易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一；和，数据通过通信协议电路以缓存一致性的方式从易失性存储芯片和非易失性存储芯片至少之一中被读取。

在一种可行的实施方式中，接口芯片还包括逻辑电路，逻辑电路与通信协议电路电连接；数据通过通信协议电路和逻辑电路以缓存一致性的方式写入易失性存储芯片和非易失性存储芯片中至少之一，和，数据通过通信协议电路和逻辑电路以缓存一致性的方式从易失性存储芯片和非易失性存储芯片至少之一中被读取。

在一种可行的实施方式中，易失性存储芯片包括第一存储阵列和第二存储阵列，通信协议电路通过第一三维异质集成结构与第一存储阵列电连接，逻辑电路通过第二三维异质集成结构与第二存储阵列电连接；通信协议电路的正投影落入第一存储阵列正投影的范围内，逻辑电路的正投影落入第二存储阵列正投影的范围内。

在一种可行的实施方式中，非易失性存储芯片通过三维异质集成结构与接口芯片三维堆叠连接；非易失性存储芯片包括第三存储阵列和第四存储阵列，通信协议电路通过第三三维异质集成结构与第三存储阵列电连接，逻辑电路通过第四三维异质集成结构与第四存储阵列电连接；通信协议电路的正投影落入第三存储阵列正投影的范围内，逻辑电路的正投影落入第四存储阵列正投影的范围内。

在一种可行的实施方式中，逻辑电路包括固定逻辑电路和可编程逻辑电路中至少之一。

在一种可行的实施方式中，逻辑电路的数量为多个，多个逻辑电路围绕通信协议电路设置。