[实用新型]一种扩晶装置有效
申请号: | 202123172337.5 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN216528774U | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 刘子玉;陈嘉 | 申请(专利权)人: | 深圳市意沨科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 广东科言知识产权代理事务所(普通合伙) 44671 | 代理人: | 卢春华 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 | ||
1.一种扩晶装置,包括扩晶托盘、升降机构和转动机构,所述升降机构用于驱动所述扩晶托盘升降,其特征在于:所述转动机构包括转动电机以及转动传动带,所述转动电机用于驱动所述转动传动带转动,所述转动传动带绕接于所述扩晶托盘,所述转动传动带设置有第一啮齿组,所述扩晶托盘设置有第二啮齿组,所述第一啮齿组与所述第二啮齿组啮合。
2.根据权利要求1所述的扩晶装置,其特征在于:所述转动电机的转轴安装有传动轮,所述传动轮的外侧壁设置有第三啮齿组,所述第一啮齿组与所述第三啮齿组啮合。
3.根据权利要求1所述的扩晶装置,其特征在于:所述转动机构还包括至少两个抵触件,所述转动传动带位于两个抵触件之间,两个抵触件用于抵触所述转动传动带以使得所述转动传动带保持张力。
4.根据权利要求1所述的扩晶装置,其特征在于:所述升降机构包括升降件、升降电机以及升降传动结构,所述升降电机通过所述升降传动结构驱动所述升降件升降,所述转动机构和所述扩晶托盘均设置于所述升降件。
5.根据权利要求4所述的扩晶装置,其特征在于:所述升降传动结构包括主动轮、同步传动带以及至少两根升降柱,升降柱与所述升降件螺接,升降柱设置有同步轮,所述升降电机经所述主动轮驱动其中一根升降柱传动,所述同步传动带绕接于各同步轮并用于使各同步轮同步转动。
6.根据权利要求5所述的扩晶装置,其特征在于:所述升降电机的转轴设置有升降轮,所述升降轮与所述同步轮之间设置有升降传动带,所述升降传动带绕接于所述升降轮和所述同步轮。
7.根据权利要求5所述的扩晶装置,其特征在于:所述升降件设置有至少两个升降孔,所述扩晶托盘位于两个升降孔之间;升降孔内设置有螺母,螺母与升降柱螺接。
8.根据权利要求5所述的扩晶装置,其特征在于:所述升降传动结构还包括多个限位轮,多个限位轮均转动设置于所述升降件,所述同步传动带位于多个限位轮之间并与多个限位轮抵触。
9.根据权利要求1所述的扩晶装置,其特征在于:还包括平移机构,所述平移机构包括平移件、第一平移组件和第二平移组件,所述转动机构和所述升降机构均设置于所述平移件,所述第一平移组件用于驱动所述平移件沿第一方向移动,所述第二平移组件用于驱动所述平移件沿第二方向移动,第一方向与第二方向不平行设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造