[实用新型]底座结构及功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 202123172393.9 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN216626208U 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 周红鑫;王双;朱贤龙;周晓阳;刘军 申请(专利权)人: 广东芯聚能半导体有限公司
主分类号: H05K1/18 分类号: H05K1/18;H05K1/02
代理公司: 华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 米晶晶
地址: 511458 广东省广州市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 底座 结构 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种底座结构,其特征在于,所述底座结构包括:

底座本体;

第一连接部与第二连接部,所述第一连接部与所述第二连接部分别设置于所述底座本体的相对两端,所述第一连接部上设有开孔,第二连接部设有连接面,所述开孔与所述连接面不连通,所述连接面用于与陶瓷基覆铜板连接。

2.根据权利要求1所述的底座结构,其特征在于,所述第一连接部的外径大于所述底座本体的外径。

3.根据权利要求1所述的底座结构,其特征在于,所述第二连接部的外径大于所述底座本体的外径。

4.根据权利要求1所述的底座结构,其特征在于,沿所述底座本体的高度方向,所述连接面上设有向内凹或向外凸起的花纹,所述连接面通过所述花纹用于与陶瓷基覆铜板通过焊接方式连接。

5.根据权利要求4所述的底座结构,其特征在于,所述花纹的形状为同心圆纹、螺旋纹、网格纹、菱形纹中的一种。

6.根据权利要求1所述的底座结构,其特征在于,所述连接面设有凹陷部,所述凹陷部沿所述底座本体的高度方向朝向所述第一连接部凹陷设置。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的底座结构,其特征在于,所述底座本体、所述第一连接部与所述第二连接部为一体成型结构。

8.一种功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块包括权利要求1-7中任意一项所述的底座结构。

9.根据权利要求8中所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块还包括陶瓷基覆铜板,所述第二连接部通过所述连接面与所述陶瓷基覆铜板连接。

10.根据权利要求9中所述的功率半导体模块,其特征在于,所述陶瓷基覆铜板包括至少两个铜层与陶瓷层,所述陶瓷层夹设于两个铜层之间。

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