[实用新型]底座结构及功率半导体模块

说明书

本实用新型涉及一种底座结构及功率半导体模块，底座结构包括：底座本体；第一连接部与第二连接部，所述第一连接部与所述第二连接部分别设置于所述底座本体的相对两端，所述第一连接部上设有开孔，第二连接部设有连接面，所述开孔与所述连接面不连通，所述连接面用于与陶瓷基覆铜板连接。上述底座结构，在使用过程中，将锡膏设置在陶瓷基覆铜板的指定位置上，由于连接面没有开设开孔，使得连接面与陶瓷基覆铜板的连接面积大大提高，有效减少焊接空洞，有利于增强连接面与陶瓷基覆铜板之间的连接稳定性，进而提高底座结构与陶瓷基覆铜板的连接可靠性，避免底座结构从陶瓷基覆铜板上脱落。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体技术领域，特别是涉及一种底座结构及功率半导体模块。

背景技术

随着电子技术的发展，出现了功率半导体技术，功率半导体在电子电路中能够实现功率转换、功率开关、功率放大、线路保护和整流等功能，它是电子装置中实现电能转换与电路控制的核心，其作用是改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。现在功率半导体模块中，铜底座与DBC(Direct Bonding Copper，即陶瓷基覆铜板)之间的连接材料为锡层，具体工艺首先通过钢网印刷，然后在DBC上刷出一定厚度的锡膏，然后用SMT(SurfaceMounted Technology即，表面贴装技术)将铜底座贴放在锡膏表面，最后在真空回流炉中加热到合金的熔点，冷却后形成稳定的连接。

常见的铜底座为环形通孔设计，铜底座、DBC与焊接材料之间的焊接面积较小，焊接强度(推力)值约6～8Kg，在进行高低温循环、振动测试等可靠性实验之后，焊接强度进一步下降，铜底座就可能脱落，对于产品质量来讲，是严重的潜在风险。

实用新型内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种底座结构及功率半导体模块，能够有效提升焊接强度，提高功率半导体的整体品质。

其技术方案如下：一种底座结构，包括：底座本体；第一连接部与第二连接部，所述第一连接部与所述第二连接部分别设置于所述底座本体的相对两端，所述第一连接部上设有开孔，第二连接部设有连接面，所述开孔与所述连接面不连通，所述连接面用于与陶瓷基覆铜板连接。

上述底座结构，在使用过程中，首先将锡膏设置在陶瓷基覆铜板的指定位置上，然后，采用表面贴装技术将底座结构的第二连接部上的连接面贴装在锡膏上，最后采用真空回流焊技术使锡层形成连接界面，使得连接面与陶瓷基覆铜板连接。由于连接面没有开设开孔，使得连接面与陶瓷基覆铜板的连接面积大大提高，有效减少焊接空洞，有利于增强连接面与陶瓷基覆铜板之间的连接稳定性，进而提高底座结构与陶瓷基覆铜板的连接可靠性，避免底座结构从陶瓷基覆铜板上脱落。

在其中一个实施例中，所述第一连接部的外径大于所述底座本体的外径。

在其中一个实施例中，所述第二连接部的外径大于所述底座本体的外径。

在其中一个实施例中，沿所述底座本体的高度方向，所述连接面上设有向内凹或向外凸起的花纹，所述连接面通过所述花纹用于与陶瓷基覆铜板通过焊接方式连接。

在其中一个实施例中，所述花纹的形状为同心圆纹、螺旋纹、网格纹、菱形纹中的一种。

在其中一个实施例中，所述连接面设有凹陷部，所述凹陷部沿所述底座本体的高度方向朝向所述第一连接部凹陷设置。

在其中一个实施例中，所述底座本体、所述第一连接部与所述第二连接部为一体成型结构。

一种功率半导体模块，包括上述中任意一项所述的底座结构。