[实用新型]一种可编程只读存储单元及存储器

权利要求书

1.一种可编程只读存储单元，其特征在于，包括N阱，N阱上设有串联的第一PMOS管、第二PMOS管；

所述第一PMOS管为选择管，第一PMOS管的源极与N阱电连接，第一PMOS管的栅极连接字选择控制信号，第一PMOS管的漏极与第二PMOS的源极电连接且共用同一P+区域；

所述第二PMOS管为浮置栅极的存储管，第二PMOS管的漏极作为位线输出，第二PMOS管的栅极上方没有金属硅化物，且第二PMOS管栅极的平均厚度小于第一PMOS管栅极的平均厚度；

所述第一PMOS管的宽度大于第二PMOS管的宽度。

2.根据权利要求1所述的可编程只读存储单元，其特征在于，所述P+区域包括靠近第一PMOS管的第一子区域和靠近第二PMOS管的第二子区域，所述第一子区域的宽度大于第二子区域的宽度。

3.根据权利要求2所述的可编程只读存储单元，其特征在于，所述第一子区域中超出第二子区域侧边的部分为延展部，设延展部与第二PMOS管栅极间的距离为d，d为版图设计规则中所能允许的有源区与场氧POLY间距离的最小值。

4.根据权利要求3所述的可编程只读存储单元，其特征在于，所述第一子区域两侧各包含一个延展部，两侧延展部对称，宽度相同。

5.根据权利要求3所述的可编程只读存储单元，其特征在于，所述第一子区域只在一侧设有延展部。

6.一种可编程只读存储器，其特征在于，包含可编程只读存储阵列，所述可编程只读存储阵列包含多个如权利要求1-5任一所述的可编程只读存储单元。