[实用新型]一种可编程只读存储单元及存储器

说明书

本实用新型公开了一种可编程只读存储单元及存储器，可编程只读存储单元包括N阱，N阱上设有串联的第一PMOS管、第二PMOS管；第一PMOS管为选择管，第二PMOS管为浮置栅极的存储管，第二PMOS管的栅极上方没有金属硅化物，且第二PMOS管栅极的平均厚度小于第一PMOS管栅极的平均厚度，第一PMOS管的宽度大于第二PMOS管的宽度。本实用新型减少了非设计寄生电容、增大了有益寄生电容占比、提高了编程门槛、降低了误编程概率，提高了产品的可靠性。

技术领域

本实用新型属于集成电路设计领域，尤其涉及一种OTP浮栅型可编程只读存储单元。

背景技术

现有技术CN1192436C公开了一种可编程只读存储器，如图1所示，包含N 阱012，N阱012上有两个串联的PMOS，即第一PMOS管01和第二PMOS管 02，第一PMOS管01的栅极为03，第二PMOS管02的栅极为05，两个PMOS 管共用一个P+区域04，010为金属层，011为接触孔，两个PMOS以规则允许的最小栅间距设计，且两个PMOS的宽度应为相等。

在高电压下进行编程，编程时，存储管的源极为高电压，存储管的漏极为低电压，两者压差较大，栅极依靠浮栅与漏极之间寄生电容等，分压获得相对于其源极的开启电压，热电子流过并部分存入浮栅，从而实现数据编程。其各寄生电容如图2所示。

随着工艺精度提高、线宽减细、距离缩短，寄生电容的形式更加多元，且合计占比越来越大，不同工艺之间的差异不利于设计和工艺移植，过多的杂散寄生不利于分析和仿真。总之，寄生电容对OTP浮栅型可编程只读存储单元的良率和可靠性影响越来越大，甚至在较高电压下正常工作期间和快速上电下电期间，存储管的浮置栅极因多元化的寄生电容获得更多分压，从而意外开启导致误编程。

发明内容

发明目的：为了解决现有技术中，可编程只读存储单元的寄生电容多元，影响设计分析，影响产品可靠性的问题，本发明提供一种可编程只读存储单元及存储器。

技术方案：一种可编程只读存储单元，包括N阱，N阱上设有串联的第一 PMOS管、第二PMOS管；

所述第一PMOS管为选择管，第一PMOS管的源极与N阱电连接，第一 PMOS管的栅极连接字选择控制信号，第一PMOS管的漏极与第二PMOS的源极电连接且共用同一P+区域；

所述第二PMOS管为浮置栅极的存储管，第二PMOS管的漏极作为位线输出，第二PMOS管的栅极上方没有金属硅化物，且第二PMOS管栅极的平均厚度小于第一PMOS管栅极的平均厚度；

所述第一PMOS管的宽度大于第二PMOS管的宽度。

进一步地，在可编程只读存储单元的设计版图中，所述第二PMOS管的栅极上方覆盖有金属硅化物阻挡层。

进一步地，所述P+区域包括靠近第一PMOS管的第一子区域和靠近第二 PMOS管的第二子区域，所述第一子区域的宽度大于第二子区域的宽度。

进一步地，所述第一子区域中超出第二子区域侧边的部分为延展部，设延展部与第二PMOS管栅极间的距离为d，d为版图设计规则中所能允许的有源区与场氧POLY间距离的最小值。

进一步地，所述第一子区域两侧各包含一个延展部，两侧延展部对称，宽度相同。

进一步地，所述第一子区域只在一侧设有延展部。

一种可编程只读存储器，包含可编程只读存储阵列，所述可编程只读存储阵列包含多个上述的可编程只读存储单元。

本实用新型提供一种可编程只读存储单元及存储器，相比较现有技术，从减少非设计寄生电容、增大有益寄生电容占比、提高编程门槛、减少意外误编程、提高产品可靠性等多角度，存在以下有益效果：