[实用新型]基于微影用途的光罩保持容器

说明书

一种基于微影用途的光罩保持容器，其供收纳限制一光罩，而该光罩保持容器包含有一第一视窗组及一第二视窗组，该第一、二视窗组分设于该光罩保持容器中相对光罩两个侧表面的侧面，且该第一、二视窗组分别具有一透明石英板，而该多个透明石英板的透光率大于或等于90％，又其中该第一、二视窗组的可视范围大于或等于该光罩的电路图案，以此，当该光罩收纳限制于该光罩保持容器后，能够于一微影设备内通过一微影光束由第一视窗组或二视窗组外部射入、且经该光罩后再由相对的第二视窗组或第一视窗组射出，使该微影光束投射通过光罩的电路图案转印至该工作载台的晶圆表面，且该光罩保持容器能够于一视觉检测设备内同步检知该光罩上、下表面的污染物。

技术领域

本实用新型隶属一种光罩保持容器的技术领域，具体而言为一种基于微影用途的光罩保持容器，以此减少光罩表面光刻图案在储存、传送及制程中被污染。

背景技术

电子产品不断朝向轻薄短小、高频、高效能等特性发展，使得用于电子产品中的核心半导体元件就需微小化与具有高效能，因此现有半导体元件的电路图案线径已由早期的微米级发展至纳米级。而依据目前的半导体元件制造技术，半导体元件的电路图案是通过微影[Lithography]制程将电路图案转印至晶圆的表面，具体而言是利用特定波长的光源投射通过光罩[Photomask]的方式，将电路图案转印至晶圆的表面。为了实现在单位面积上倍增半导体元件的数目，缩小半导体电路的线宽为其主要的技术方案，目前以波长193纳米的深紫外光[DUV]及波长13.5纳米的极紫外光[EUV]做为微影制程的曝光光源，其中深紫外光[DUV]最大的物理极限是10nm的线宽，若要实现7nm以下的线宽则非使用极紫外光[EUV]不可。

然而在制程中又会因制程材料、或制程气体、或因零件微粒与油污的剥落，又或因环境中存在的微粒或气体游离分子等污染物经积聚或化学变化后，在晶圆/光罩储存及运输期间产生微粒或雾霾等缺陷，因此，光罩在运送过程以及保存期间，都必须放置于一高洁净度、气密性佳、低气体逸出与抗静电防护性高的载具内，防止光罩受到污染，确保光罩的洁净度与提高制程合格率。

受到前述半导体元件微细化的影响，在半导体元件的制造过程中，用于转印电路图案的光罩如有缺陷[或污染]时会造成晶圆表面的电路图案的扭曲或变形。已知造成光罩缺陷的原因之一在于光罩的表面受到污染，例如其会因制程材料、或制程气体、或因零件微粒与油污的剥落，又或因环境中存在的微粒或气体游离分子等污染物经积聚或化学变化后，在光罩表面产生微粒或雾霾等缺陷，而为了维持光罩在制程使用期间的质量，一般光罩在储存或传送过程中会收纳于一光罩保持容器内，现有光罩保持容器包含一基座与一盖体，该盖体与基座相对盖合时，两者之间可形成一用以容纳一光罩的内腔，且通过设于基座与盖体内的夹持件使光罩可被选择性限制于内腔，可以减少因碰撞、摩擦或与外部制程气体反应等产生微粒污染影响光罩表面的洁净度。

然而光罩在进行微影制程或表面检测时，仍需打开盖体，以提取置于基座上的光罩，由于打开光罩保持容器之前，为了使工作环境达到无尘状态，会有进、排气等操作过程，此时微粒或部分污染物会因为光罩保持容器内外的压力变化，而进入光罩保持容器中、且附着于光罩表面，甚至重复的启闭动作也容易因磨擦或不当碰撞产生微粒或静电，大幅增加了光罩受污染的几率，进而缩短光罩回厂整修的间隔时间，并增加光罩清洗的次数，从而缩短光罩的电路图案寿命，故需增加同一布局的光罩备用量，大幅的降低其生产效率，并增加制程成本，而随着微影制程技术越来越精细、且高成本，如深紫外光[DUV]、极紫外光[EUV]的微影制程，对于光罩的保护需求也越来越高。

换言之，由于现有半导体元件在转印电路图案的微影制程中，光罩会因制程材料、气体、微粒或气体游离分子在经积聚或化学变化后，于光罩表面产生不同缺陷，可见将光罩从保护载具中取出执行微影制程，才是光罩整个使用过程中产生缺陷的主要时刻，因此如何能够避免因取出光罩进行微影所造成的意外污染，为业者及使用者所期待，亦为本实用新型所欲探讨解决者。

有鉴于上述缺失弊端，本实用新型针对以上不良处加以研究改良，经不断努力的试作，终于成功开发一种基于微影用途的光罩保持容器，以此克服现有光罩在使用中失去保护所造成的困扰与不便。