[实用新型]一种QFN或DFN的封装结构有效
| 申请号： | 202123265251.7 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN216563114U | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 胡小林;张尚飞;张永银;穆云飞 | 申请（专利权）人： | 南京矽邦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 qfn dfn 封装 结构 | ||
1.一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，包括框架基体和凹槽；
所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；
所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布。
2.根据权利要求1所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述凹槽的数量为四个，所述凹槽为半蚀刻异形槽。
3.根据权利要求2所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述半蚀刻异形槽为十字形设置，十字形所述半蚀刻异形槽的宽度≥0.2.mm，十字形所述半蚀刻异形槽距离基岛的距离≥0.2mm，十字形所述半蚀刻异形槽的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。
4.根据权利要求1所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所蚀刻区的数量为四个，四个所述蚀刻区均匀分布在基岛四周。
5.根据权利要求1所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述框架基体上设有用于隔开蚀刻区与基岛的半蚀刻支架，所述半蚀刻支架的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。
6.根据权利要求5所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述半蚀刻支架、蚀刻区和凹槽中均填充有塑封料。
7.根据权利要求6所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述半蚀刻支架中设有多个用于容纳塑封料的全蚀刻椭圆孔。
8.根据权利要求1所述的一种QFN或DFN的封装结构，其特征在于，所述蚀刻区内设有引脚，所述引脚上设有用于连接芯片的焊线。
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