[实用新型]一种QFN或DFN的封装结构

说明书

本实用新型公开了一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布；通过在基岛上开设凹槽，塑封时，基岛上的熔融塑封料能够流入凹槽中，并在凹槽固化，增加了塑封料与基岛的结合面，有效增加了塑封料与框架基体的附着强度，提高了QFN封装的可靠性及芯片的稳定性，解决了在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种QFN或DFN的封装结构，属于芯片封装技术领域。

背景技术

QFN或DFN封装流程简单，适用芯片类型较多，散热能力强，当前在QFN或DFN封装中，当基岛尺寸较小、芯片尺寸较大，贴片时，贴片胶易延展至基岛的边缘，过多的贴片胶外溢至基岛边缘易降低芯片的稳定性；同时，塑封料熔融后与基岛的结合面变小，使得塑封强度变减小进而失效；过多的贴片胶外溢出基岛以及塑封料与基岛之间附着强度失效易导致QFN或DFN产品稳定性和可靠性差的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种QFN或DFN的封装结构，用以解决在当前QFN或DFN封装中，由于塑封料熔融后与基岛的结合面小，影响塑封强度，进而出现影响QFN或DFN产品的可靠性及芯片稳定性的问题。

为达到上述目的/为解决上述技术问题，本实用新型是采用下述技术方案实现的：一种QFN或DFN的封装结构，包括框架基体和凹槽；

所述框架基体包括基岛固定区和蚀刻区，所述基岛固定区设置于框架基体的中部；所述蚀刻区分布于基岛固定区的外侧；

所述基岛固定区设有基岛，所述基岛上设有芯片，所述凹槽设置于基岛上并围绕芯片分布。

可选地，所述凹槽的数量为四个，所述凹槽为半蚀刻异形槽。

可选地，所述半蚀刻异形槽为十字形设置，十字形所述半蚀刻异形槽的宽度≥0.2.mm，十字形所述半蚀刻异形槽距离基岛的距离≥0.2mm，十字形所述半蚀刻异形槽的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。

可选地，所蚀刻区的数量为四个，四个所述蚀刻区均布在基岛四周。

可选地，所述框架基体设有用于隔开蚀刻区与基岛的半蚀刻支架，所述半蚀刻支架的深度为框架基体厚度的1/2~2/3。

可选地，所述半蚀刻支架、蚀刻区和凹槽中均填充有塑封料。

可选地，所述半蚀刻支架中设有多个用于容纳塑封料的全蚀刻椭圆孔。

可选地，所述蚀刻区内设有引脚，所述引脚上设有用于连接芯片的焊线。

与现有技术相比，本实用新型所达到的有益效果：

1、通过在基岛上开设凹槽，贴片时，外溢的贴片胶能够流入凹槽中，凹槽可阻挡过多的贴片胶延展至基岛边缘，且在塑封时，基岛上的熔融塑封料能够流入凹槽中，并在凹槽固化，增加了塑封料与基岛的结合面，有效增加了塑封料与基岛的附着强度，提高了封装的可靠性及芯片的稳定性，解决了在当前QFN或DFN封装中，由于贴片胶外溢出基岛、塑封料熔融后与基岛的结合面小，进而出现影响QFN或DFN产品可靠性和稳定性的问题。

2、当熔融的塑封料在框架基体上延展时进入到半蚀刻支架中，由于半蚀刻支架本身存在一定的深度，熔融的塑封料在半蚀刻支架内填充，由于多个全蚀刻椭圆孔的存在，增加了半蚀刻支架内塑封料的结合面积，配合凹槽同时提高了整个框架基体上塑封料的附着强度。

附图说明

图1是本实施例提供的一种QFN或DFN的封装结构的俯视结构示意图；