[实用新型]一种高纯多晶硅硅芯连接结构有效
| 申请号： | 202123267143.3 | 申请日： | 2021-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN216737604U | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 任长春;徐丽丽;王生红;鲍守珍;史正斌 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 多晶 硅硅芯 连接 结构 | ||
1.一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：包括石墨底座、石墨帽、底装硅芯和上装硅芯，所述石墨底座上设置有石墨帽，所述石墨帽内贯穿安装所述底装硅芯，所述底装硅芯的上部设置有所述上装硅芯；所述底装硅芯的高度高于石墨帽的高度。
2.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述石墨帽具有与所述底装硅芯形状匹配的第一开槽。
3.根据权利要求2所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述第一开槽为锥形开槽，所述底装硅芯为锥形硅芯。
4.根据权利要求3所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述锥形的角度为大于0度小于90度之间的任意角度。
5.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述底装硅芯的上部包括一定高度的第一凹陷，所述上装硅芯为圆形/方形/锥形底部嵌入第一凹槽能形成结合。
6.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述底装硅芯的上部具有一定高度的第一凸起，所述上装硅芯的下部包括与所述第一凸起匹配的第二凹陷。
7.根据权利要求5或6所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：凹陷为柱形/锥形凹陷，凸起为柱形/锥形凸起。
8.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述上装硅芯为圆形硅芯或方形硅芯或锥形硅芯。
9.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述石墨底座的底部具有与外部还原炉电极连接的第二开槽。
10.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅芯连接结构，其特征在于：所述底装硅芯和上装硅芯为一体成型的硅芯。
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