[实用新型]功率半导体模块有效
申请号: | 202123321442.0 | 申请日: | 2021-12-27 |
公开(公告)号: | CN216818324U | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 麻长胜;周祥;王晓宝;赵善麒 | 申请(专利权)人: | 江苏宏微科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 陈红桥 |
地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 半导体 模块 | ||
本实用新型提供了一种功率半导体模块,包括:金属基板,金属基板上设有多个安装位;功率器件,功率器件设置于金属基板相应的安装位;金属互连线,金属互连线互连功率器件;壳体,壳体设置于金属基板上,并与金属基板连接后形成空槽;高导热灌封层,高导热灌封层设置于空槽内,用以封装功率器件和金属互连线。本实用新型能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种功率半导体模块。
背景技术
功率半导体模块工作中会产生较大的热量,热量的来源有两个途径:其一为功率芯片工作过程中产生的损耗;其二为金属件导电时产生的焦耳热。而功率芯片工作过程产生的损耗是热量的主要来源,如何将这些热量有效的耗散掉以保证器件工作在安全的温度范围是功率模块设计、使用环节中最重要的一点。
目前功率半导体模块大多采用单面导热的形式,即功率芯片产生的热量通过基板和底板向下传热,再通过散热器将热量带走,难以通过正面导出热量。
实用新型内容
本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的目的在于提出一种功率半导体模块,能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
为达到上述目的,本实用新型实施例提出了一种功率半导体模块,包括:金属基板,所述金属基板上设有多个安装位;功率器件,所述功率器件设置于所述金属基板相应的安装位;金属互连线,所述金属互连线互连所述功率器件;壳体,所述壳体设置于所述金属基板上,并与所述金属基板连接后形成空槽;高导热灌封层,所述高导热灌封层设置于所述空槽内,用以封装所述功率器件和所述金属互连线。
根据本实用新型实施例的功率半导体模块,通过设置金属基板,并在金属基板上设置功率器件,并通过设置金属互连线互连功率器件,此外,还在金属基板上设置壳体以形成空槽,并在空槽内设置高导热灌封层以封装功率器件和金属互连线,由此,能够通过模块的灌封层面进行辅助散热,从而能够提高模块的散热效率,并且通过灌封层封装模块,无需另外增加盖板对模块进行防护,从而能够节省组件、以及简化组装步骤。
另外,根据本实用新型上述实施例提出的功率半导体模块还可以具有如下附加的技术特征:
进一步地,所述的功率半导体模块还包括功率端子和信号端子,其中,所述功率端子和所述信号端子均设置于所述壳体上并分别对应连接所述金属基板和所述功率器件。
进一步地,所述金属基板为一体化覆金属基板,具体包括:底层金属板;高导热绝缘层,所述高导热绝缘层设置于所述底层金属板上;线路层,所述线路层设置于所述高导热绝缘层上,并与所述功率器件和所述功率端子相连。
进一步地,所述高导热绝缘层由高导热绝缘胶构成。
进一步地,所述高导热灌封层由高导热灌封胶构成。
进一步地,所述高导热灌封层的表面为齿状。
进一步地,所述的功率半导体模块还包括散热器,所述散热器设置于所述金属基板远离所述功率器件的一侧。
附图说明
图1为本实用新型实施例的功率半导体模块的结构示意图;
图2为本实用新型一个实施例的功率半导体模块的结构示意图;
图3为本实用新型一个实施例的功率半导体模块的俯视图;
图4为本实用新型一个实施例的金属基板的结构示意图;
图5为本实用新型一个实施例的含有散热器的功率半导体模块的结构示意图。
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