[实用新型]一种用于硅片表面加工的磨削装置有效

专利信息
申请号: 202123327447.4 申请日: 2021-12-27
公开(公告)号: CN217072043U 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 高哲;张海波;王楠;宋洋;谢岩 申请(专利权)人: 锦州神工半导体股份有限公司
主分类号: B24D7/06 分类号: B24D7/06;B24D7/14;B24D7/10
代理公司: 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 代理人: 薛晓萌
地址: 121000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 硅片 表面 加工 磨削 装置
【权利要求书】:

1.一种用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述磨削装置包括环状主体(10),所述环状主体(10)具有内壁、外壁以及相对设置的固定端面和安装端面;

所述固定端面与数控立轴圆台磨床相连;所述安装端面上设置有磨削组件;

所述磨削组件包括多个同轴、且间隔设置的环状磨削件(11),多个所述环状磨削件(11)的直径沿环形结构件的径向从内至外依次增大,相邻两个所述环状磨削件(11)之间形成周向间隙(12);

所述环状磨削件(11)包括多个间隔设置的磨削单体(111),且所述磨削单体(111)呈扇形结构,所述扇形结构的圆心角的度数为30°~45°;多个所述磨削单体(111)沿所述安装端面的周向等间隔设置,相邻两个所述磨削单体(111)之间形成径向间隙(13);

所述周向间隙(12)和所述径向间隙(13)之间相连通形成磨削液流动槽。

2.如权利要求1所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,设有三个所述环状磨削件(11),且三个所述环状磨削件(11)沿所述环形结构件的径向方向从内至外分别为第一磨削件(11A)、第二磨削件(11B)和第三磨削件(11C)。

3.如权利要求2所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述第一磨削件(11A)上的相邻两个所述磨削单体(111)之间的间隔为第一径向间隙;

所述第二磨削件(11B)上的相邻两个所述磨削单体(111)之间的间隔为第二径向间隙;

所述第三磨削件(11C)上的相邻两个所述磨削单体(111)之间的间隔为第三径向间隙;

所述第一径向间隙和所述第二径向间隙之间交错设置,且不在同一条直线上,所述第二径向间隙和所述第三径向间隙之间交错设置,且不在同一条直线上。

4.如权利要求3所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述第一径向间隙与所述第三径向间隙在同一条直线上。

5.如权利要求2所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述第一磨削件(11A)、所述第二磨削件(11B)和所述第三磨削件(11C)上的所述磨削单体(111)的宽度相同,且所述磨削单体(111)的宽度大于所述安装端面的宽度的四分之一小于所述安装端面的宽度的三分之一。

6.如权利要求1所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述磨削单体(111)的厚度为5mm-10mm。

7.如权利要求1所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述磨削装置与数控立轴圆台磨床通过螺栓相连。

8.如权利要求1所述的用于硅片表面加工的磨削装置,其特征在于,所述磨削单体(111)的材质为树脂金刚石。

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