[实用新型]一种用于硅片表面加工的磨削装置

说明书

本实用新型涉及一种用于硅片表面加工的磨削装置，涉及半导体硅片加工技术领域。磨削装置包括环状主体，磨削装置上设置有磨削组件。磨削组件包括多个环状磨削件，相邻两个环状磨削件之间形成周向间隙。环状磨削件包括多个磨削单体，且磨削单体呈扇形结构，两个磨削单体之间形成径向间隙。周向间隙和径向间隙之间相连通形成磨削液流动槽。在通过磨削单体对硅片表面加工的过程中，磨削液能够形成水流在硅片工件表面，降低表面温度。而且，多个扇形结构的磨削单体铺设于安装端面相比较圆柱状的磨砂轮而言，与硅片工件表面的接触效果更好，减少磨损增加使用寿命，加强了磨削的面积，提高了工作效率从而降低工作台和磨头的转速。

技术领域

本实用新型涉及半导体硅片加工技术领域，尤其涉及一种用于硅片表面加工的磨削装置。

背景技术

在硅片的磨削过程中，与数控立轴圆台磨床相连的磨头直接与硅片的表面接触，通过数控立轴圆台磨床的高速转动，使磨头在硅片表面产生一定进给量，用来实现硅片的磨削加工。

目前，硅片的表面在通过磨头进行磨削加工时，由于现有的磨头是在其与硅片表面相接触的面外周设置有多个磨削砂轮，且多个磨削砂轮呈圆柱状结构，且间隔设置在磨头的外周一圈。

现有的这种数控立轴圆台磨床的磨削砂轮在高速运转的条件下，与硅片表面的接触点会产生400℃以上的高温，因此，便需要对接触点的表面温度的降低，目前降低接触点表面的温度的方式是单独从外部设置有降低温度的切削液并向接触面喷射切削液，但是喷射切削液的方式以及圆柱状砂轮就会导致切削液容易向四周飞溅，进而造成降低温度的效果差。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

鉴于现有技术的上述缺点、不足，本实用新型提供一种用于硅片表面加工的磨削装置，其解决了喷射切削液的方式以及圆柱状的磨削砂轮就会导致切削液容易向四周飞溅，进而造成降低温度的效果差的技术问题。

(二)技术方案

为了达到上述目的，本实用新型采用的主要技术方案包括：

一方面，一种用于硅片表面加工的磨削装置，所述磨削装置与数控立轴圆台磨床通过螺栓相连，所述磨削装置包括环状主体，所述环状主体具有内壁、外壁以及相对设置的固定端面和安装端面；

所述固定端面与数控立轴圆台磨床相连；所述安装端面上设置有磨削组件；

所述磨削组件包括多个同轴、且间隔设置的环状磨削件，多个所述环状磨削件的直径沿所述环形结构件的径向从内至外依次增大，相邻两个所述环状磨削件之间形成周向间隙；

所述环状磨削件包括多个间隔设置的磨削单体，且所述磨削单体呈扇形结构，所述扇形结构的圆心角的度数为30°～45°；多个所述磨削单体沿所述安装端面的周向等间隔设置，相邻两个所述磨削单体之间形成径向间隙；

所述周向间隙和所述径向间隙之间相连通形成磨削液流动槽。

可选地，设有三个所述环状磨削件，且三个所述环状磨削件沿所述环形结构件的径向方向从内至外分别为第一磨削件、第二磨削件和第三磨削件。

可选地，所述第一磨削件上的相邻两个所述磨削单体之间的间隔为第一径向间隙；

所述第二磨削件上的相邻两个所述磨削单体之间的间隔为第二径向间隙；

所述第三磨削件上的相邻两个所述磨削单体之间的间隔为第三径向间隙；

所述第一径向间隙和所述第二径向间隙之间交错设置，且不在同一条直线上，所述第二径向间隙和所述第三径向间隙之间交错设置，且不在同一条直线上。

可选地，所述第一径向间隙与所述第三径向间隙在同一条直线上。