[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；

深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和所述衬底之间的第一外延层的厚度为6μm～12μm；

阱接触层，与所述深阱保护柱的掺杂类型相同，并自所述深阱保护柱的表面向所述深阱保护柱中延伸且侧壁和底部被所述深阱保护柱围绕；

金属层，位于所述阱接触层的表面以及所述第二外延层的侧壁和表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括与所述深阱保护柱的掺杂类型不同的电流扩散层，且所述电流扩散层自相邻所述深阱保护柱之间的第一外延层表面向所述第一外延层中延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述电流扩散层的厚度为0.4μm～4μm，宽度为2μm～6μm，且掺杂浓度为6×10¹⁵/cm³～6×10¹⁶/cm³。

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述深阱保护柱的掺杂浓度为6×10¹⁶/cm³～5×10¹⁷/cm³，所述阱接触层的掺杂浓度为1×10¹⁸/cm³～1×10²⁰/cm³。

5.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述阱接触层的侧壁上的深阱保护柱的厚度不超过0.2μm，所述深阱保护柱的深度为0.4μm～4μm。

6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层还延伸至所述阱接触层中，且位于所述阱接触层中的金属层的厚度为0.1μm～0.3μm。

7.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层的厚度为6.4μm～16μm，所述第二外延层的厚度为0.5μm～2μm，且所述第一外延层和所述第二外延层的掺杂浓度为6×10¹⁵/cm³～1.4×10¹⁶/cm³。