[实用新型]一种薄膜电阻元件有效
| 申请号： | 202123371131.5 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN216818383U | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 张可;苏陟;喻建国;朱宇华 | 申请（专利权）人： | 广州方邦电子股份有限公司;珠海达创电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 510660 广东省广州市高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电阻 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜电阻元件，其特征在于，所述薄膜电阻元件包括基板；
设置于基板一侧的金属层；
设置于所述金属层表面的介电层，所述介电层包括至少1个开口；
设置于所述介电层表面的连接层，所述连接层通过介电层的开口与金属层连接；
设置于所述连接层表面的电阻层。
2.根据权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述连接层的厚度为0.5-3μm。
3.根据权利要求2所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述电阻层的厚度为5-200nm。
4.根据权利要求1或3所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述电阻层覆盖连接层表面的95％以上。
5.根据权利要求4所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述电阻层完全覆盖所述连接层。
6.根据权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述金属层的厚度为1-20μm。
7.根据权利要求1所述的薄膜电阻元件，其特征在于，所述连接层与金属层的接触面积不小于金属层表面积的50％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州方邦电子股份有限公司;珠海达创电子有限公司，未经广州方邦电子股份有限公司;珠海达创电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202123371131.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带自泄气口的微波自立袋
- 下一篇：一种水利施工用边坡加固装置
