[实用新型]一种预包封框架硬度增强结构

说明书

本实用新型涉及一种预包封框架硬度增强结构，它包括第一层金属层(1)，所述第一层金属层(1)下方设置有第二层金属层(2)，所述第一层金属层(1)包括自上而下依次布置的第一铜层(11)、中间镍层(12)和第二铜层(13)，所述第一层金属层(1)和第二层金属层(2)外围包封有塑封料(7)，所述第一金属层(1)正面打线区域设置有镍钯金层(6)。本实用新型在铜层下面埋入一层镍层，既增加了键合位置的硬度，又能保证非打线位置表面仍为铜层，可以保证良好的封装结合力及布细线路的能力。

技术领域

本实用新型涉及一种预包封框架硬度增强结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

预包封框架作为一种封装载板，采用预包封的工艺将图形包裹起来，为线路提供支撑，具有优越的绕线能力。采用电镀工艺，制得纯铜线路，与一般的QFN框架含有杂质的铜合金相比，具有良好的导电、导热性，使其在最终的产品性能方面表现优越。

纯铜线路带来优越电性能、热性能的同时，同样带来了硬度偏软的问题。虽然有着预包封材料作为支撑，金线键合的结合力没有问题，但是当键合位置较软时，打线过程中机台往往会发出虚假的警报，需要增加消警的动作，导致工作效率降低。目前的解决方案是在预包封基板的打线位置的金层加厚(如图1所示)，或者在所有铜层表面制作带有较厚镍层的镍钯金层(如图2所示)。前者成本较高，后者因镀镍工艺在业内普遍存在渗镀问题，导致线路无法做细，对于高集成、高密度的基板一直无法企及，且金层在客户端塑封过程中与塑封料的结合力弱，面积太大存在分层风险。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种预包封框架硬度增强结构，其可以解决现有预包封框架金线键合位置硬度偏软的问题。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种预包封框架硬度增强结构，包括第一层金属层，所述第一层金属层下方设置有第二层金属层，所述第一层金属层包括自上而下依次布置的第一铜层、中间镍层和第二铜层，所述第一层金属层和第二层金属层外围包封有塑封料，所述第一金属层正面打线区域设置有镍钯金层。

可选的，所述第一层金属层正面贴装有芯片，所述芯片正面与镍钯金层之间通过键合线相连接。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

1、本实用新型在铜层下面埋入一层镍层，既增加了键合位置的硬度，又能保证非打线位置表面仍为铜层，可以保证良好的封装结合力及布细线路的能力；

2、本实用新型镍层在铜层中间，不存在渗镀问题，故可制作高集成高密度的基板；

3、本实用新型无需金层加厚，生产成本较低；

4、本实用新型金属铜层下面增加一层镍，因镍硬度为铜的2倍，在打线时可以提供更好的支撑，减少作业报警，增加作业效率。

附图说明

图1为现有预包封基板的打线位置金层加厚的示意图。

图2为现有预包封基板铜层表面制作带有较厚镍层的镍钯金层的示意图。

图3为本实用新型一种预包封框架硬度增强结构的示意图。

图4～图15为本实用新型一种预包封框架硬度增强结构制造方法的各工序流程图。

其中：

第一层金属层1

第一铜层11

中间镍层12

第二铜层13

第二层金属层2

芯片3

键合线4

金层5