[实用新型]一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构有效
| 申请号： | 202123380071.3 | 申请日： | 2021-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN216699974U | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 左希光;段亚东;张雷;刘琰;潘雅敏;温玉波;杨淼;刘岩 | 申请（专利权）人： | 青岛海博瑞微电子研究所有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/08 |
| 代理公司： | 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 | 代理人： | 黄瀛 |
| 地址： | 266000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 高频 sic mosfet 隔离 驱动 电路 结构 | ||
1.一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构，其特征在于：包括高速数字隔离器、栅驱动、隔离电源以及SiC-MOSFET，高速数字隔离器包括相互连接的发射器与接收器；电路的输入端连接电阻R1；电阻R1的另一端连接发射器的输入端；发射器输入地端接数字地,接收器的输入端连接发射器的输出端；其输出端分别连接隔离电源的VCC+引脚与VCC-引脚，以及栅驱动器的输入端；接收器的输出端与隔离电源的VCC+引脚之间还连接有电阻R2,接收器的输出端与隔离电源VCC-引脚之间连接有电容C1,隔离电源的VCC+引脚与隔离电源的VCC-引脚之间连接有电容C2；栅驱动器的VCC+引脚VCC-引脚之间连接有电容C3，栅驱动器的输出高端与输出地端分别连接驱动电阻R3以及驱动电阻R4，驱动电阻R3、驱动电阻R4并联后的输出端连接SiC-MOSFET的栅极；SiC-MOSFET的源极连接隔离电源的公共地；
SiC-MOSFET的漏极外接功率电源,隔离电源的公共地还连接功率电源地；且隔离电源的公共地与功率电源地之间连接有负载。
2.根据权利要求1所述的一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构，其特征在于：还包括电阻R5以及电容C4，所述电阻R5并联到SiC-MOSFET的栅极与源极；电容C4与电阻R5并联连接。
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