[实用新型]一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构

说明书

本实用新型提供了一种高温、高频SiC‑MOSFET隔离式驱动电路结构，电路的输入端连接电阻R1；电阻R1的另一端连接发射器的输入端；发射器输入地端接数字地,接收器的输入端连接发射器的输出端；其输出端分别连接接隔离电源的VCC+引脚与VCC‑引脚，以及栅驱动器的输入端；接收器的输出端与隔离电源的VCC+引脚之间还连接有电阻R2,接收器的输出端与隔离电源VCC‑引脚之间连接有电容C1,隔离电源的VCC+引脚与隔离电源的VCC‑引脚之间连接有电容C2；栅驱动器的VCC+引脚与VCC‑引脚之间连接有电容C3；基于以上设计的SiC‑MOSFET/IGBT高温隔离式驱动器，可以在175℃的环境下使用，适用于高压大功率高端开关应用三相电机驱动以及半桥、H桥驱动。

技术领域

本实用新型涉及驱动电路技术领域，具体为一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构。

背景技术

由于碳化硅材料具有的高热导率和宽带隙特性使得在高温应用中碳化硅器件相较于其他器件更加具有潜力。

目前现有的SiC-MOSFET隔离式驱动器要么是常温的,少数耐高温的SiC-MOSFET隔离式驱动器的封装尺寸较大，然而特定行业，如石油钻探，需要耐高温、体积小、性能可靠且高频化的SiC-MOSFET隔离式驱动器，然而符合条件的SiC-MOSFET隔离式驱动器少之又少。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构，包括高速数字隔离器、栅驱动、隔离电源以及SiC-MOSFET，高速数字隔离器包括相互连接的发射器与接收器；电路的输入端连接电阻R1；电阻R1的另一端连接发射器的输入端；发射器输入地端接数字地,接收器的输入端连接发射器的输出端；其输出端分别连接接隔离电源的VCC+引脚与VCC-引脚，以及栅驱动器的输入端；接收器的输出端与隔离电源的VCC+引脚之间还连接有电阻R2,接收器的输出端与隔离电源VCC-引脚之间连接有电容C1,隔离电源的VCC+引脚与隔离电源的VCC-引脚之间连接有电容C2；栅驱动器的VCC+引脚与VCC-引脚之间连接有电容C3，栅驱动器的输出高端与输出地端分别连接驱动电阻R3以及驱动电阻R4，驱动电阻R3、驱动电阻R4并联后的输出端连接SiC-MOSFET的栅极；SiC-MOSFET的源极连接隔离电源的公共地；SiC-MOSFET的漏极外接功率电源,隔离电源的公共地还连接功率电源地；且隔离电源的公共地与功率电源地之间连接有负载。

优选的，还包括电阻R5以及电容C4，所述电阻R5并联到SiC-MOSFET的栅极与源极；电容C4与电阻R5并联连接。

根据SiC-MOSFET的特性，高温下要保证可靠关断，减少米勒效应需要负偏压关断，该隔离式驱动器需要外接隔离正电源电压，标准值为+18V与负电源电压，标准值为-3V，输入信号为PWM信号，经过高速数字隔离器将信号电平变换为-3V～+18V信号，再通过专用SiC-MOSFET栅驱动器驱动SiC-MOSFET快速导通和关断。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种高温、高频SiC-MOSFET隔离式驱动电路结构，具备以下有益效果：基于以上设计的SiC-MOSFET/IGBT高温隔离式驱动器，可以在175℃的环境下使用，采用裸芯片金丝键合高温厚膜工艺技术完全能够满足耐高温、体积小、性能可靠的要求,适用于高压大功率高端开关应用三相电机驱动以及半桥、H桥驱动。

附图说明

图1为本实用新型的电路结构示意图。

具体实施方式