[实用新型]生活家电用小信号晶体管有效
申请号: | 202123417427.6 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN217062103U | 公开(公告)日: | 2022-07-26 |
发明(设计)人: | 崔峰敏 | 申请(专利权)人: | 傲迪特半导体(南京)有限公司 |
主分类号: | H01L29/08 | 分类号: | H01L29/08;H01L29/732 |
代理公司: | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人: | 徐蓓;尹妍 |
地址: | 210034 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生活 家电 信号 晶体管 | ||
1.一种生活家电用小信号晶体管,集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区,晶体管有源区呈对角对称结构,其特征在于,晶体管基区呈圆角矩形结构,基区上为发射区,所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状,缺失的一角呈扇形结构;缺失角处沉积碳纳米层。
2.根据权利要求1所述的小信号晶体管,其特征在于,所述集电区上边缘设有保护环结构。
3.根据权利要求2所述的小信号晶体管,其特征在于,所述保护环、集电区的外环、发射区的外环、基区的内外环上沉积钝化层。
4.根据权利要求1所述的小信号晶体管,其特征在于,所述发射区的内环、基区的中环、集电区的中环、钝化层的内外环上沉积碳纳米层。
5.根据权利要求4所述的小信号晶体管,其特征在于,所述钝化层上未沉积碳纳米层处贴附金属电极。
6.根据权利要求1所述的小信号晶体管,其特征在于,所述发射区、发射区缺失角沉积碳纳米层外设有保护膜。
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