[实用新型]生活家电用小信号晶体管

说明书

本实用新型涉及一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层。本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于生活家电。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件，特别涉及一种生活家电用小信号晶体管。

背景技术

晶体管按功率分类大体可分为功率晶体管和小信号晶体管，随着封测技术的不断进步，小信号功率管产品逐代更迭，对产品的要求也越来越高，整机产品对元器件体积苛刻的限制、对芯片供电mA级别的电流需求均对小信号功率管提出了更高的要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种生活家电用小信号晶体管。

为实现上述技术目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层。

作为一种优选的实施方式，所述集电区上边缘设有保护环结构，所述保护环结构和发射区掺杂浓度相同，

作为一种优选的实施方式，所述保护环、集电区的外环、发射区的外环、基区的内外环上沉积钝化层。

作为一种优选的实施方式，所述发射区的内环、基区的中环、集电区的中环、钝化层的内外环上沉积碳纳米层。

作为一种优选的实施方式，所述钝化层上未沉积碳纳米层处贴附金属电极。

作为一种优选的实施方式，所述发射区、发射区缺失角沉积碳纳米层外设有保护膜。

本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于生活家电。

附图说明

图1为晶体管平面结构示意图。

图2为图1A处断面图。

图3为基区掩膜结构图。

图4为同沉积浓度的保护环和发射区掩膜结构图。

图5位碳纳米层掩膜结构图。

具体实施方式

如图1-5所示的晶体管，晶体管尺寸为290μm*290μm，有源区尺寸206μm*206μm。

1集电区上依次设有反型半导体的基区2和同型半导体的发射区3，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区2呈圆角矩形结构，基区2上为发射区，发射区3呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构；缺失角处沉积碳纳米层6。集电区1上边缘设有保护环结构4，保护环结构4和发射区3掺杂浓度相同，保护环4、集电区1的外环、发射区3的外环、基区2的内外环上沉积钝化层5。发射区3的内环、基区2的中环、集电区1的中环、钝化层5的内外环上沉积碳纳米层6。钝化层5上未沉积碳纳米层6处贴附金属电极7。发射区3、发射区3缺失角沉积碳纳米层6外设有保护膜8。

本实施例的晶体管，NPN型BV_CBO=60V，BV_CEO=50V，BV_EBO=5V，IC=150mA。