[实用新型]工艺腔室

权利要求书

1.一种工艺腔室，应用于半导体设备，所述工艺腔室包括腔室本体和设置于所述腔室本体上方的介质窗，其特征在于，所述工艺腔室还包括用于向所述腔室本体内通入工艺气体的进气装置，所述介质窗的中心位置设有安装通孔，所述进气装置包括安装部和形成在所述安装部的喷头部，所述安装部设置在所述安装通孔中，

所述喷头部的出气端设有中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组，所述中间进气孔组环绕所述中心进气孔组设置，所述边缘进气孔组环绕所述中间进气孔组设置，且所述中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组分别与所述腔室本体外的外部气源连接，用于向所述腔室本体内可选择性的通入所述工艺气体。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述中心进气孔组包括第一中心进气孔和环绕所述第一中心进气孔设置的第二中心进气孔组，所述第二中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组分别包括沿同一圆周均匀间隔分布且呈中心对称分布的多个第二中心进气孔、多个中间进气孔和多个边缘进气孔；所述第二中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组均与所述第一中心进气孔的圆心同心设置。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一中心进气孔和所述第二中心进气孔具有第一环间距、第二中心进气孔和所述中间进气孔具有第二环间距，所述中间进气孔和所述边缘进气孔具有第三环间距，所述第一环间距、所述第二环间距和所述第三环间距依次递增。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一环间距为10mm-20mm，和/或，所述第二环间距为30mm-40mm，和/或，所述第三环间距为50mm-70mm。

5.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一中心进气孔的孔径为1.2mm-2mm，和/或，所述第二中心进气孔的孔径为3mm-5mm，和/或，所述中间进气孔的孔径为1.2mm-2mm，和/或，所述边缘进气孔的孔径为0.7mm-1mm。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括第一固定件，所述第一固定件卡接于所述安装通孔的内壁且套设于所述安装部，所述安装部通过所述第一固定件与所述介质窗连接。

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装通孔的内壁上设有沿所述介质窗的上表面向下延伸的多个滑槽以及与所述滑槽连通的第一定位凹槽；所述第一固定件的外周壁设有与多个所述滑槽一一对应的多个第一定位凸部，所述第一定位凸部能够插入所述滑槽并旋转至所述第一定位凹槽内，所述第一固定件通过所述第一定位凸部和所述第一定位凹槽的配合与所述介质窗连接。

8.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一固定件的内壁与所述安装部的外壁，其中一者设有第二定位凸部，另一者设有与所述第二定位凸部对应的第二定位凹槽，所述安装部通过所述第二定位凸部和所述第二定位凹槽的配合与所述第一固定件连接。

9.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一固定件包括第一子固定件和第二子固定件，所述第一子固定件和所述第二子固定件均为半筒状结构且分别设置在所述安装部的两侧，所述第一子固定件和所述第二子固定件的内侧圆柱面相接形成所述第一固定件的内壁。

10.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装部具有沿其轴向贯穿的中心导气通道、中间导气通道和边缘导气通道，且分别与所述中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组对应连通；

所述工艺腔室还包括气路转接块，所述气路转接块密封连接于所述安装部背离所述喷头部的一端，所述气路转接块内部设有分别与所述中心导气通道、所述中间导气通道和所述边缘导气通道对应连通的多条传输通道，多条所述传输通道用于与所述外部气源连接。

11.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，所述中间导气通道和所述边缘导气通道均为环形通道。

12.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括第二固定件，所述第二固定件套设于所述安装部，所述第一固定件的内壁与所述第二固定件的外壁，其中一者设有第三定位凸部，另一者设有与所述第三定位凸部对应的第三定位凹槽，所述第二固定件通过所述第三定位凸部和所述第三定位凹槽的配合与所述第一固定件连接；所述气路转接块连接于所述第二固定件的背离所述第一固定件的一端。