[实用新型]工艺腔室

说明书

本实用新型提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，工艺腔室包括腔室本体、设置于腔室本体上方的介质窗和用于向腔室本体内通入工艺气体的进气装置，介质窗的中心位置设有安装通孔，进气装置包括安装部和形成在安装部的喷头部，安装部设置在安装通孔中，喷头部的出气端设有中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组，中间进气孔组环绕中心进气孔组设置，边缘进气孔组环绕中间进气孔组设置，且中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组分别与腔室本体外的外部气源连接，用于向腔室本体内可选择性的通入工艺气体。本实用新型提供的工艺腔室能够实现更多的进气调节，实现如M型刻蚀、均匀刻蚀等多种能够满足特定的半导体工艺对等离子体的分布需求。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种工艺腔室。

背景技术

在半导体刻蚀工艺中，等离子体刻蚀的均匀性对于晶圆的良率至关重要。现有的一种半导体刻蚀工艺，通过向半导体腔室内输送工艺气体，并借助半导体腔室外的内外线圈向半导体腔室内馈入磁场，以激发工艺气体形成等离子体，从而利用等离子体对晶圆进行刻蚀。

由于半导体腔室内的等离子体的分布会对晶圆的刻蚀均匀性产生影响，因此，现有的刻蚀均匀性的调节方法，可以通过调节内外线圈的电流比，和/或通过调节向内外线圈输送射频电流的射频电源的线性度，来调节半导体腔室内的等离子体的分布，从而调节刻蚀均匀性。

但是，由于现有的刻蚀均匀性的调节方式有限，并且受磁场分布的影响无法克服M型刻蚀缺陷，无法满足特定的半导体工艺对等离子体分布的需求。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室，其能够实现更多的进气调节方式，满足特定的半导体工艺对等离子体的分布需求。

为实现本实用新型的目的而提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，工艺腔室包括腔室本体和设置于所述腔室本体上方的介质窗，所述工艺腔室还包括用于向所述腔室本体内通入工艺气体的进气装置，所述介质窗的中心位置设有安装通孔，所述进气装置包括安装部和形成在所述安装部的喷头部，所述安装部设置在所述安装通孔中，

所述喷头部的出气端设有中心进气孔组、中间进气孔组和边缘进气孔组，所述中间进气孔组环绕所述中心进气孔组设置，所述边缘进气孔组环绕所述中间进气孔组设置，且所述中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组分别与所述腔室本体外的外部气源连接，用于向所述腔室本体内可选择性的通入所述工艺气体。

可选的，所述中心进气孔组包括第一中心进气孔和环绕所述第一中心进气孔设置的第二中心进气孔组，所述第二中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组分别包括沿同一圆周均匀间隔分布且呈中心对称分布的多个第二中心进气孔、多个中间进气孔和多个边缘进气孔；所述第二中心进气孔组、所述中间进气孔组和所述边缘进气孔组均与所述第一中心进气孔的圆心同心设置。

可选的，所述第一中心进气孔和所述第二中心进气孔具有第一环间距、第二中心进气孔和所述中间进气孔具有第二环间距，所述中间进气孔和所述边缘进气孔具有第三环间距，所述第一环间距、所述第二环间距和所述第三环间距依次递增。

可选的，所述第一环间距为10mm-20mm，和/或，所述第二环间距为30mm-40mm，和/或，所述第三环间距为50mm-70mm。

可选的，所述第一中心进气孔的孔径为1.2mm-2mm，和/或，所述第二中心进气孔的孔径为3mm-5mm，和/或，所述中间进气孔的孔径为1.2mm-2mm，和/或，所述边缘进气孔的孔径为0.7mm-1mm。

可选的，所述工艺腔室还包括第一固定件，所述第一固定件卡接于所述安装通孔的内壁且套设于所述安装部，所述安装部通过所述第一固定件与所述介质窗连接。