[实用新型]一种晶圆检测装置及半导体设备有效
申请号: | 202123436186.X | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN216749825U | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 金春锋;施龚伟;刘鹏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 装置 半导体设备 | ||
本实用新型提供了一种晶圆检测装置及半导体设备。晶圆检测装置包括至少一组检测组件,每组所述检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置,所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束,所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束,并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。本实用新型通过设置发射装置从晶圆放置区域的下方发射光束,即使发出的光束照射在晶圆的背面,以减小晶圆对光束的影响,从而有效降低误检频率,提高检测的精确性。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,特别涉及一种晶圆检测装置及半导体设备。
背景技术
在半导体制造的多个设备中,需要先将晶圆按照要求放置在设定的位置上,然后再开始后续的工艺。因此,需要在设备中设置相应的检测装置,先进行晶圆有无的检测,即确认设定位置上是否放置有晶圆。
随着半导体技术的发展,芯片种类也越来越多。在不同的芯片的制造过程中,晶圆表面形成的薄膜的材质不一样,使得晶圆表面的反光性也不相同。对于一些表面反光性较强的晶圆,使用现有的检测装置进行检测时,检测用的光束照射在晶圆表面上后容易发生散射而形成干扰光线,导致检测结果出错的频率较高,发生误报警的频率较高。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆检测装置及半导体设备,以解决现有的检测装置用于检测表面反光性较强的晶圆时,发生误检的频率较高。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种晶圆检测装置,包括:
至少一组检测组件,每组所述检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置,所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束,所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束,并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。
可选的,还包括放置台,位于所述晶圆放置区域内,用于放置晶圆。
可选的,所述发射装置发出的光束照射在所述放置台的中间区域。
可选的,在垂直于所述放置台台面的方向上,所述发射装置和所述接收装置与所述放置台间的距离相同,且不少于1cm。
可选的,在平行于所述放置台台面的方向上,所述发射装置和所述接收装置与所述放置台间的距离相同,且不少于1cm。
可选的,还包括腔体,所述检测组件设置在所述腔体的外侧,并在所述腔体的侧壁上设置有第一通孔和第二通孔,所述发射装置通过第一通孔发射光束至所述腔体内,所述接收装置通过所述第二通孔接收光束。
可选的,包括多组所述检测组件,多组所述检测组件环绕在所述晶圆放置区域的外围。
可选的,所述检测组件为激光传感器。
本实用新型还提供了一种半导体设备,包括如上所述的晶圆检测装置。
在本实用新型提供的晶圆检测装置,包括至少一组检测组件,每组检测组件包括相对设置的发射装置和接收装置,所述发射装置用于从晶圆放置区域的下方发射光束,所述接收装置用于从晶圆放置区域的上方接收所述光束,并根据是否接收到光束判断出所述晶圆放置区域内是否放置有晶圆。通过设置发射装置从晶圆放置区域的下方发射光束,即使发出的光束照射在晶圆的背面,以减小晶圆对光束的影响,从而有效降低误检频率,提高检测的精确性。
附图说明
图1为本实用新型一实施例提供的晶圆检测装置的示意图;
图2为本实用新型一实施例提供的晶圆检测装置另一示意图;
图中,
110-发射装置;111-第一发射装置;112-第二发射装置;120-接收装置;121-第一接收装置;122-第二接收装置;200-晶圆;300-放置台;400-腔体;410-第一通孔;420-第二通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造