[发明专利]存储器器件及其擦除操作

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元行；

多个字线，所述多个字线分别耦合到所述多个存储器单元行；以及

外围电路，所述外围电路耦合到所述多个字线并且被配置为对所述多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作，所述选定存储器单元行耦合到选定字线，其中，为了执行所述擦除操作，所述外围电路被配置为：

在所述擦除操作之前的第一时间段中，将耦合到所述多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且

在所述第一时间段之后的第二时间段中，使所述未选定字线浮置。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段之后的第三时间段中，将所述未选定字线充电到充电电压。

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述初始电压和所述充电电压相同。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中，所述初始电压和所述充电电压等于系统电压(Vdd)。

5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述初始电压大于所述放电电压。

6.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中

所述外围电路包括解码器、耦合到多个本地字线的字线驱动器以及多个驱动晶体管；并且

所述多个驱动晶体管中的未选定驱动晶体管包括耦合到所述解码器的栅极、耦合到所述多个本地字线中的未选定本地字线的源极和漏极中的一个以及耦合到所述未选定字线的所述源极和所述漏极中的另一个。

7.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，为了使所述未选定字线放电，所述解码器被配置为使所述未选定驱动晶体管导通，并且所述字线驱动器被配置为将所述放电电压施加到所述未选定本地字线，使得所述未选定驱动晶体管将所述放电电压施加到所述未选定字线。

8.根据权利要求6所述的存储器器件，其中，为了使所述未选定字线浮置，所述解码器被配置为使所述未选定驱动晶体管截止，使得所述未选定驱动晶体管使所述未选定字线浮置。

9.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中

所述存储器单元阵列包括多个存储器串，所述多个存储器串中的每个存储器串包括源极；

所述存储器器件还包括分别耦合到所述多个存储器串的多个位线；并且

为了执行所述擦除操作，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段中，将擦除电压施加到所述多个存储器串的所述源极。

10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述多个存储器串包括在对应于所述选定存储器单元行的选定块中的第一存储器串以及在对应于所述未选定存储器单元行的未选定块中的第二存储器串。

11.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中，为了执行所述擦除操作，所述外围电路还被配置为在所述第二时间段中，将0V电压施加到所述选定字线。

12.根据权利要求1-4中的任何一项所述的存储器器件，其中，所述存储器器件包括三维(3D)NAND闪存存储器器件。