[发明专利]存储器器件及其擦除操作

说明书

在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

背景技术

本公开涉及存储器器件及其操作方法。

闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器和NAND闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。对于NAND闪存存储器，可以在块级执行擦除操作，可以在页级执行编程操作，并且可以在单元级执行读取操作。

发明内容

在一个方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

在另一方面中，一种系统包括被配置为存储数据的存储器器件以及耦合到存储器器件并且被配置为控制存储器器件的存储器控制器。存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

在又一方面中，提供了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括存储器单元阵列和多个字线，存储器单元阵列包括多个存储器单元行，多个字线分别耦合到多个存储器单元行。对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作。选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压，并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。

附图说明

并入本文并且形成说明书的一部分的附图示出了本公开的方面，并且与描述一起进一步用于解释本公开的原理并且使相关领域的技术人员能够制成和使用本公开。

图1示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性系统的块图。

图2A示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性存储器卡的示图。

图2B示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性固态驱动器(SSD)的示图。

图3示出了根据本公开的一些方面的包括外围电路的示例性存储器器件的示意图。

图4示出了根据本公开的一些方面的包括NAND存储器串的示例性存储器单元阵列的截面的侧视图。

图5示出了根据本公开的一些方面的包括存储器单元阵列和外围电路的示例性存储器器件的块图。

图6示出了根据本公开的一些方面的包括存储器单元阵列和外围电路的示例性存储器器件的详细块图。

图7示出了由存储器器件执行的擦除操作的时序图。