[发明专利]芯片堆叠封装结构及芯片堆叠封装方法

权利要求书

1.一种芯片堆叠封装结构，包括：

基底芯片层，包括在正面具有引脚的基底芯片，

至少一层堆叠芯片层，依次形成于所述基底芯片层，具有芯片间绝缘层以及贴装于所述芯片间绝缘层且在正面具有多个引脚的至少一个堆叠芯片，所述堆叠芯片的正面朝向基底芯片的正面，以及

顶层绝缘层，堆叠于距离所述基底芯片层最远的所述堆叠芯片层；

在所述芯片间绝缘层的内部形成有使对应的引脚垂直连通的垂直互连孔，所述对应的引脚指规定的需要进行电连接的引脚，

在所述垂直互连孔的内部，形成有将对应的引脚电连接的导电材料层，

所述堆叠芯片在贴装于所述芯片间绝缘层之后被减薄减小，暴露出所述芯片的引脚的部分区域，以实现堆叠芯片通过引脚与其他芯片进行垂直连接。

2.根据权利要求1所述的芯片堆叠封装结构，其中，

在所述垂直互连孔内还具有阻挡层，所述阻挡层形成于所述垂直互连孔的内壁与所述导电材料层之间，防止所述导电材料层的形成材料进入所述芯片间绝缘层的内部。

3.根据权利要求1或2所述的芯片堆叠封装结构，其中，

所述基底芯片层是晶圆或由多个所述基底芯片形成的面板。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的芯片堆叠封装结构，其中，

俯视观察下，所述基底芯片和所述堆叠芯片处于使对应的引脚在堆叠方向上垂直相对的规定的位置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片堆叠封装结构，其中，

所述基底芯片的引脚嵌入与所述基底芯片层相邻的堆叠芯片层的芯片间绝缘层中，所述堆叠芯片的所述引脚嵌入该堆叠芯片所处的堆叠芯片层的芯片间绝缘层中。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片堆叠封装结构，其中，

所述堆叠芯片层包括两层以上。

7.一种芯片堆叠封装方法，包括：

堆叠芯片层形成步骤，在基底芯片层上形成至少一层堆叠芯片层，所述堆叠芯片层包括芯片间绝缘层和至少一个堆叠芯片；

堆叠芯片减薄减小步骤，每当形成一层堆叠芯片层，对所述一层堆叠芯片层所包括的堆叠芯片进行减薄减小，暴露出所述堆叠芯片的引脚的部分区域；

垂直互连孔形成步骤，在所述堆叠芯片减薄减小步骤后，形成使对应的引脚垂直连通的垂直互连孔，所述对应的引脚指规定的需要进行电连接的引脚；

导电材料层形成步骤，在所述垂直互连孔内形成使对应的引脚电连接的导电材料层；以及

顶层绝缘层形成步骤，在所述堆叠芯片层上形成顶层绝缘层。

8.根据权利要求7所述的芯片堆叠封装方法，其中，

在垂直互连孔形成步骤与导电材料层形成步骤之间还包括在所述垂直互连孔内形成阻挡层的阻挡层形成步骤，

所述阻挡层通过沉积形成于在所述垂直互连孔的内壁，防止在所述导电材料层形成步骤中导电材料层的形成材料进入所述芯片间绝缘层的内部。

9.根据权利要求7或8所述的芯片堆叠封装方法，其中，

在导电材料层形成步骤与顶层绝缘层形成步骤之间，还包括判断步骤，判断是否全部的所述堆叠芯片层均已形成，

在所述判断步骤中判断为所述堆叠芯片层未全部形成的情况下，返回堆叠芯片层形成步骤，在所述判断步骤中判断为所述堆叠芯片层都已形成的情况下，进入所述顶层绝缘层形成步骤。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的芯片堆叠封装方法，其中，

在所述堆叠芯片减薄减小步骤与所述垂直互连孔形成步骤之间，还包括在所述堆叠芯片层上形成覆盖所述堆叠芯片的临时绝缘层的临时绝缘层形成步骤。

11.根据权利要求10所述的芯片堆叠封装方法，其中，

在所述导电材料层形成步骤之后，还包括除去多余的导电材料以及全部或部分所述临时绝缘层的除去步骤。