[发明专利]工件分离装置及工件分离方法有效
申请号: | 202180004814.0 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN114175230B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 大谷义和;富冈恭平 | 申请(专利权)人: | 信越工程株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 工件 分离 装置 方法 | ||
本发明的课题在于即使产生不会通过改性剥离装置改性的未剥离部位,也能破坏未剥离部位,确实地剥离工件和支撑体。本发明的工件分离装置的特征在于,具备:保持部件,装卸自如地保持工件;剥离部件,与配置于用保持部件保持的工件及支撑体之间的临时粘结层的外边对置;驱动部,向临时粘结层的外边移动剥离部件;隔离部件,将工件或支撑体中的任一者相对于另一者沿厚度方向拉开;及控制部,对驱动部及隔离部件进行动作控制,临时粘结层具有产生于临时粘结层的外边的不会通过改性剥离装置改性的未剥离部位,剥离部件具有与临时粘结层的外边的至少周向的一部分抵接的破坏刃,控制部进行如下控制:通过驱动部的动作使剥离部件的破坏刃破坏未剥离部位,通过隔离部件的动作使工件与支撑体从利用破坏刃破坏的未剥离部位剥离。
技术领域
本发明涉及一种工件分离装置及使用工件分离装置的工件分离方法,所述工件分离装置在厚度极薄的半导体基板、半导体晶圆的处理工序等之类的成为产品的工件的制造过程中,用于将临时固定保持于支撑体上的工件从支撑体剥离。
背景技术
以往,作为这种工件分离装置及工件分离方法,提出了一种通过将半导体基板(薄型晶圆)经由临时粘结层接合在硅、玻璃等支撑体上,能够充分经受背面研削、TSV、背面电极形成的工序的系统(例如,参考专利文献1)。临时粘结层包含通过光激光的照射改变粘接力而变得能够分离的光激光剥离方式的分离层。
临时粘结层的层叠方法为,作为临时粘结层的材料,将具有粘接力的热硬化性树脂溶解于溶剂中,利用旋涂法等在半导体基板(带电路晶圆)或支撑体的表面形成临时粘结层。
经由临时粘结层的带电路晶圆与支撑体的贴合方法为,在高温区域的减压下,带电路晶圆与支撑体经由临时粘结层贴合并均匀地压接,由此带电路晶圆经由临时粘接材料层与支撑体接合。
在带电路晶圆与支撑体的分离方法中,利用光激光剥离方式分离支撑体时,从支撑体侧照射激光,使临时粘结层或分离层改性,由此减弱支撑体与分离层的粘接力等,在不损伤带电路晶圆的情况下分离支撑体。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-098474号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
然而,关于半导体基板、薄型晶圆等工件与支撑体,通过具有粘接力的热硬化性树脂的溶解而将临时粘结层层叠于工件、支撑体上后,在工件与支撑体之间夹入临时粘结层来进行压接(加压)。因此,临时粘结层的热硬化性树脂有可能从工件或支撑体的外边露出。
在这种情况下,即使通过激光的照射使临时粘结层或分离层改性,由于激光不会照射到从工件或支撑体的外边露出的部位,导致产生不会通过激光而改性的未剥离的部位。
并且,不仅是工件,支撑体的角部(边缘部)通常也为了防止损伤或防止破损等而进行倒角加工。因此,被照射的激光因支撑体的倒角而散射,导致在靠近临近倒角的临时粘结层或分离层的外边产生不会通过激光而改性的未剥离部位。
除此以外,在工件与支撑体之间有异物混入的情况或在支撑体的表面上附着有异物的情况等,仅通过激光的照射而临时粘结层或分离层的改性,有时会产生局部的未剥离部位,从而有时无法顺利地剥离工件与支撑体。
因此,在产生了所述未剥离部位时,存在如下问题:若用大力强制剥离工件与支撑体,有时会在工件或支撑体上产生局部破损、破裂及破碎,并且在之后的生产过程中存在引起异常。
在这种情况下,要求一种即使在通过激光改性之后的临时粘结层上存在未剥离部位,也能够顺利地剥离工件与支撑体的技术。
用于解决技术课题的手段
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越工程株式会社,未经信越工程株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180004814.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:复合型层叠化学交联分隔件
- 下一篇:作业车辆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造