[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法以及程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

配管加热器，其对气体配管进行加热，所述气体配管向处理基板的处理室供给气体；

温度检测部，其对所述气体配管的温度进行检测；

温度调节器，其根据所述温度检测部检测出的温度，输出表示应提供给所述配管加热器的电力的操作量，进行使所述气体配管的温度接近目标值的控制；以及

上位控制器，其对所述温度调节器的所述控制下的所述气体配管的加热的开始和停止进行控制，

在所述温度调节器的所述控制下的所述气体配管的加热开始后，在所述操作量成为最大值的时间为阈值以上的情况下，所述上位控制器将所述温度调节器控制成停止所述气体配管的加热。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述上位控制器在所述温度调节器的所述控制下的所述气体配管的加热开始后，取得所述操作量和所述温度检测部检测出的温度，累计所述操作量成为最大值且所述温度检测部检测出的温度与所述气体配管的加热开始时的温度的偏差小于预定的温度阈值的时间，在所述累计的时间为阈值以上的情况下，将所述温度调节器控制成停止所述气体配管的加热。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述配管加热器是不使用纤维质的绝缘体而使线材绝缘的带式加热器。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度检测部被安装成通过与所述气体配管接触而与所述气体配管热耦合，与所述配管加热器对应地仅设置一个所述温度检测部。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板处理装置还具备：电源输出控制器，其通过所述上位控制器的控制来接通断开向上述配管加热器的电力供给，

在对各个所述温度调节器设定所述目标值，并且在至少一个所述温度调节器的控制中停止所述气体配管的加热的情况下，所述上位控制器通过所述电源输出控制器将向全部配管加热器的电力供给设为断开，由此进行所述控制的停止。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

设置有多组所述配管加热器、所述温度检测部和所述温度调节器，

各个所述温度调节器对从所述电源输出控制器输出的电源进行控制，以便通过导通角控制或接通断开控制向对应的所述配管加热器提供与操作量对应的电力。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述电源输出控制器具备晶闸管或半导体继电器，所述晶闸管或半导体继电器被串联插入到包含交流电源和所述配管加热器的电路中。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度检测部构成为能够与所述配管加热器分离。

9.根据权利要求1或8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述配管加热器具有与所述气体配管的外周对应的宽度，将所述配管加热器的长度方向设置成沿着所述气体配管。

10.根据权利要求1或8所述的基板处理装置，其特征在于，

所述配管加热器具有用耐热性树脂片夹着发热体薄膜的结构。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

在处理室对基板进行处理；

通过配管加热器对向所述处理室供给气体的气体配管进行加热；

检测所述气体配管的温度；

基于检测出的温度，输出表示应提供给所述配管加热器的电力的操作量，使所述气体配管的温度接近目标值；以及

在所述气体配管的加热开始后，在所述操作量成为最大值的时间为阈值以上的情况下，停止所述气体配管的加热。