[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法以及程序

说明书

能够抑制配管加热器的过度升温。具备：配管加热器，其对气体配管进行加热，所述气体配管向处理基板的处理室供给气体；温度检测部，其对所述气体配管的温度进行检测；温度调节器，其根据温度检测部检测出的温度，输出表示应提供给配管加热器的电力的操作量，进行使气体配管的温度接近目标值的控制；以及上位控制器，其对温度调节器的控制下的气体配管的加热的开始和停止进行控制，在温度调节器的控制下的气体配管的加热开始后，在操作量成为最大值的时间为阈值以上的情况下，上位控制器将温度调节器控制成停止气体配管的加热。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法以及程序。

背景技术

作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行如下处理：基于设置在炉内的温度传感器的测定温度来控制对加热器的电力值，从而一边对炉内进行温度控制，一边在基板上形成膜。另外，有时使用即使在温度传感器发生故障的情况下也能够稳定地继续进行炉内的温度控制的技术(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-88394号公报

发明内容

发明要解决的课题

另外，有时也进行如下处理：在气体配管上卷绕带状或丝带状的配管加热器，一边对气体配管进行加热，一边在基板上形成膜。此时，为了检测出气体配管的温度，使用热电偶(TC)等温度传感器进行温度监视。

并且，在热电偶与配管加热器分离的结构的情况下，例如将热电偶安装于气体配管，从其上卷绕配管加热器来进行温度监视。在这样的情况下，若热电偶脱落等温度监视产生不良，则有时会持续向配管加热器供给电力，配管加热器过度升温。

本公开的目的在于提供一种能够抑制配管加热器的过度升温的技术。

用于解决课题的手段

根据本公开的一个方式，提供如下技术，具备：

配管加热器，其对气体配管进行加热，所述气体配管向处理基板的处理室供给气体；

温度检测部，其对所述气体配管的温度进行检测；

温度调节器，其根据所述温度检测部检测出的温度，输出表示应提供给所述配管加热器的电力的操作量，进行使所述气体配管的温度接近目标值的控制；以及

上位控制器，其对所述温度调节器的所述控制下的所述气体配管的加热的开始和停止进行控制，

在所述温度调节器的所述控制下的所述气体配管的加热开始后，在所述操作量成为最大值的时间为阈值以上的情况下，所述上位控制器将所述温度调节器控制成停止所述气体配管的加热。

发明效果

根据本公开，能够抑制配管加热器的过度升温。

附图说明

图1是表示本公开的一实施方式中的基板处理装置的纵型处理炉的概略的纵剖视图。

图2是说明本公开的一实施方式中的基板处理装置的控制器的功能结构的图。

图3是表示本公开的一实施方式中的基板处理工序的流程图。

图4的(A)是图1中的A所示的部分的放大图。图4的(B)是图4的(A)的A-1线剖视图。图4的(C)是表示图4的(A)的A-1线剖视图的变形例的图。图4的(D)是用于说明本公开的一实施方式中的配管加热器的结构的局部放大图。

图5是用于说明本公开的一实施方式中的温度调节器的结构的图。

图6是用于说明本公开的一实施方式中的可编程逻辑控制器(PLC)的动作的流程图。