[发明专利]CVD反应器和用于调节基板的表面温度的方法

权利要求书

1.一种用于控制/调节基板(4)的表面温度的方法，所述基板布置在CVD反应器的处理室(14)内在配属于基座(2)的基板保持件(3)上，其中，依次分别测量配属于基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn)，并且通过改变参数将表面温度调节到一个共同值，其特征在于，在每次测量配属于基板保持件(3)的测得的表面温度的实际值(Tn)之后，在使用最后测得的至少一个其它的基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn)的情况下得出近似的实际值(Tn')，该近似的实际值被用于调节/控制。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用多个其它基板保持件(3)或每个基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn)计算出第一值(MT)。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一值(MT)是最后测量的表面温度的实际值(Tn)的平均值(MT)。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，通过计算求在测量过程中测得的实际值(Tn)与所述第一值或平均值(MT)之间的差，来计算出配属于所述基板保持件(3)的差值(dTn)。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的方法，其特征在于，分别通过将配属的差值(dTn)与所述值(MT)相加，来计算出针对每个其它的基板保持件(3)的近似的实际值(Tn')。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述基板保持件是被动态的气垫支撑的基板保持器(3)，并且所述参数是所述气垫(7)的高度和产生所述气垫(7)的气体的成分。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述参数是施加给基板保持件(3)的冷却功率或加热功率。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在一次或每次测量之后，利用在测量过程中确定的实际值(Tn)和配属于一个、一些或所有其它的基板保持件(3)的最后计算出的近似的实际值(Tn')，来计算第二平均值(MT')，并且将近似的实际值(Tn')与第二平均值(MT')之间的差值用作第一调节器(21)的输入变量，所述第一调节器将差值调节到零。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述基座(2)借助加热装置(9)从第一温度以恒定升高的温度加热到第二温度或者以恒定降低的温度冷却到第二温度，并且此时间歇地周期性地依次测量多个配属于所述基座(2)的、分别布置在基板保持件(3)之一上的基板(4)的实际值。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过第二调节器(22)将基座温度、第一平均值或第二平均值或近似的实际值(Tn')中的一个调节到额定值。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，使用圆盘形的且布置在CVD反应器的处理室(14)中的基座(2)，其中，这些基板保持件(3)围绕所述基座(2)的中心布置在圆弧线上，所述基座(2)围绕所述中心旋转，其中，借助测温机构(15)在处理室(14)内的位置(18)上确定测得的表面温度的实际值。