[发明专利]CVD反应器和用于调节基板的表面温度的方法

说明书

本发明涉及一种CVD反应器和一种用于控制/调节布置在CVD反应器内的基板的表面温度的方法，所述基板布置在基板保持件(3)上，所述基板保持件例如被动态的气垫支撑，其中，依次分别测量配属于基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn)，并且通过改变气垫(7)的高度将表面温度调节到一个共同值。按照本发明规定，在每次测量配属于基板保持件(3)的测得的表面温度的实际值(Tn)之后，在使用最后测得的一个或多个基板保持件(3)的表面温度的实际值(Tn)的情况下确定一个值(MT)，通过计算求在测量过程中测得的实际值(Tn)与所述值(MT)之间的差，来计算出配属于所述基板保持件(3)的差值(dTn)，并且通过将配属的差值(dTn)与所述值(MT)相加，来计算出针对至少一个其它的基板保持件(3)的近似的实际值(Tn')，该近似的实际值被用于调节/控制。

技术领域

本发明涉及一种用于控制/调节基板的表面温度的方法，所述基板布置在CVD反应器的处理室内在配属于基座的基板保持件上，其中，依次分别测量配属于基板保持件的表面温度的实际值，并且通过改变参数将表面温度调节到一个共同值。所述参数可以是气垫的高度，尤其是动态气垫的高度，该气垫承载形成基板保持件的基板保持器。所述参数也可以是形成气垫的气流的成分。

本发明还涉及一种用于实施所述方法的CVD(化学气相沉积)反应器形式的设备，所述设备具有多个配属于基座的基板保持件，这些基板保持件分别可以由动态的气垫承载的基板保持器构成，其中，所述基座可移动从而使这些基板保持件能够依次地被置于测温机构的检测区域内，通过所述测温机构能够依次地分别检测位于基板保持件上的基板的表面温度，其中，借助由控制装置构成的第一调节器(21)通过改变气垫的高度将所述表面温度调节到一个共同的值。

背景技术

文献EP 1 335 997 B1描述了一种用于控制/调节多个基板保持件的表面温度的方法，多个基板保持件中的每一个都位于向上敞开的基座的凹穴中。将气流送入凹穴的底部，该气流抬升位于凹穴中的基板保持件并使其旋转。基座下方是加热器，可用于将基座加热到基座温度。处理室位于基座上方，处理室向上由处理室顶盖限定边界。在处理室顶盖中具有开口，光学测温机构(例如高温计)的光路穿过该开口。基座由转速约为每分钟5转的旋转驱动器驱动。基座上有五个基板保持件，因此仅每12秒在测温机构下方存在同一基板保持件，通过测温机构测量基板保持件或由基板保持件承载的基板的表面温度。由间隔测量的表面温度形成平均值。在CVD反应器内，从加热装置经基座到处理室顶盖形成垂直温度梯度。热量通过气垫从基座传递到基板保持件并传递到基板上。气垫的高度影响热传输，从而影响基板的温度。通过单独改变每个基板保持件的气垫高度，基板温度可以通过调节器或控制装置相对于平均值进行调节，使得基板温度与平均值的差值近乎为零。然而在该方法中，这种表面温度的调节只有在时间恒定的基座温度的情况下才有可能。在温度梯度中温度急剧变化并且因为只有来自过去的实际值可用于调节，因此使用现有技术中的调节算法是不可行的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，进一步改进前述类型的CVD反应器和方法，使得表面温度也可以在基座温度变化的时间段内被调节。

所述技术问题通过本发明的权利要求被解决，其中，从属权利要求不仅表示本发明的独立权利要求的有利的改进方案，而且也表示技术问题的独立的解决方案。