[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

第一导电型的漂移区，设置于半导体基板；

第一导电型的场截止区，设置于所述漂移区的下方，具有一个或多个峰；以及

第二导电型的集电极区，设置于所述场截止区的下方，

在将所述集电极区的积分浓度设为x[cm^-2]，将所述一个或多个峰中的从所述半导体基板的背面起算最浅的第一峰的深度设为y1[μm]，并设

线A1：y1＝(-7.4699E-01)ln(x)+(2.7810E+01)、

线B1：y1＝(-4.7772E-01)ln(x)+(1.7960E+01)的情况下，所述第一峰的深度和所述积分浓度处于线A1与线B1之间的范围。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为8.00E15cm^-2以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为3.00E14cm^-2以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为2.00E14cm^-2以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为1.00E14cm^-2以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为5.00E13cm^-2以下。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为3.00E13cm^-2以下。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极区的积分浓度为1.00E13cm^-2以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一峰的深度为0.5μm以上且7.2μm以下。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一峰的深度为2.0μm以上且7.2μm以下。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在将所述一个或多个峰中的从所述背面起算第二浅的第二峰的深度设为y2[μm]，并设线A2：y2＝(-3.1095E+00)ln(x)+(1.1416E+02)、

线B2：y2＝(-1.9239E+00)ln(x)+(7.1030E+01)的情况下，所述第二峰的深度和所述积分浓度处于线A2与线B2之间的范围。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二峰的深度为3.5μm以上且28μm以下。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在将连接于所述半导体装置的电路的杂散电感Ls设为Xc[nH]，将集电极电流减小率dIce/dt设为Yc[A/μs]，并设线C1：Yc＝10000Xc^-1的情况下，所述杂散电感Ls和所述集电极电流减小率dIce/dt处于比线C1大的范围。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述一个或多个峰的掺杂剂为氢。