[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，其包括：第一导电型的漂移区，设置于半导体基板；第一导电型的场截止区，设置于漂移区的下方，具有一个或多个峰；以及第二导电型的集电极区，设置于场截止区的下方，在将集电极区的积分浓度设为x[cm^‑2]，将一个或多个峰中的从半导体基板的背面起算最浅的第一峰的深度设为y1[μm]，并设线A1：y1＝(‑7.4699E‑01)ln(x)+(2.7810E+01)、线B1：y1＝(‑4.7772E‑01)ln(x)+(1.7960E+01)的情况下，第一峰的深度和积分浓度处于线A1与线B1之间的范围。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知具备场截止区的半导体装置(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2015-135954号公报

发明内容

技术问题

期望防止由电流切断时的浪涌电压引起的元件破坏。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置，其包括：第一导电型的漂移区，设置于半导体基板；第一导电型的场截止区，设置于漂移区的下方，具有一个或多个峰；以及第二导电型的集电极区，设置于场截止区的下方，在将集电极区的积分浓度设为x[cm^-2]，将一个或多个峰中的从半导体基板的背面起算最浅的第一峰的深度设为y1[μm]，并设线A1：y1＝(-7.4699E-01)ln(x)+(2.7810E+01)、线B1：y1＝(-4.7772E-01)ln(x)+(1.7960E+01)的情况下，第一峰的深度和积分浓度处于线A1与线B1之间的范围。

集电极区的积分浓度可以为8.00E15cm^-2以下。

集电极区的积分浓度可以为3.00E14cm^-2以下。

集电极区的积分浓度可以为2.00E14cm^-2以下。

集电极区的积分浓度可以为1.00E14cm^-2以下。

集电极区的积分浓度可以为5.00E13cm^-2以下。

集电极区的积分浓度可以为3.00E13cm^-2以下。

集电极区的积分浓度可以为1.00E13cm^-2以下。

第一峰的深度可以为0.5μm以上且7.2μm以下。

第一峰的深度可以为2.0μm以上且7.2μm以下。

在将一个或多个峰中的从背面起算第二浅的第二峰的深度设为y2[μm]，并设线A2：y2＝(-3.1095E+00)ln(x)+(1.1416E+02)、线B2：y2＝(-1.9239E+00)ln(x)+(7.1030E+01)的情况下，第二峰的深度和积分浓度可以处于线A2与线B2之间的范围。

第二峰的深度可以为3.5μm以上且28μm以下。

在将连接于半导体装置的电路的杂散电感Ls设为Xc[nH]，将集电极电流减小率dIce/dt设为Yc[A/μs]，并设线C1：Yc＝10000Xc^-1的情况下，杂散电感Ls和集电极电流减小率dIce/dt可以处于比线C1大的范围。

一个或多个峰的掺杂剂可以为氢。

半导体装置可以具备：有源区，设置于半导体基板；以及外周区，在俯视半导体基板时，设置于有源区的外周。