[发明专利]用于掩模版粒子检测的所关注的区处理的方法

说明书

检查系统包括产生辐射束并且照射物体的第一表面的辐射源，从而限定所述物体的所述第一表面的区。所述辐射源还照射所述物体的第二表面，从而限定所述第二表面的区，其中所述第二表面位于所述物体内的与所述第一表面不同的深度水平处。所述检查系统也可以包括检测器，所述检测器限定所述第一表面的包括所述第一表面的所述区的视场(FOV)、并且接收从所述第一表面的所述区和所述第二表面的所述区散射的辐射。所述检查系统也可以包括处理器，所述处理器丢弃并非从所述第一表面的所述区接收的图像数据、并且构造合成图像，所述合成图像包括来自遍及所述第一表面的整个所述区的所述图像数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月23日递交的美国申请62/964,924和于2020年6月9日递交的美国申请63/036,744的优先权，这些美国申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及光刻设备和系统中的光刻图案形成装置上的污染物的检测。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底上(通常是在衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)或被设计成为功能性的其它器件的制造中。在这种情况下，图案形成装置(可替代地被称为掩模或掩模版)可以被用于产生待形成在被设计为功能性的器件的单层上的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网格。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行于这个扫描方向同步地扫描所述衬底来照射每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印至所述衬底。

制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)，以形成所述器件的各个特征和通常多个层。典型地使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光、和离子注入来制造和/或处理这些层和/或特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，且然后将它们分离成多个单独的器件。这种器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案转印步骤，诸如使用光刻设备的光学和/或纳米压印光刻，以在衬底上提供图案，并且典型地但可选地涉及一个或更多个有关的图案处理步骤，诸如通过显影设备进行抗蚀剂显影、使用焙烤工具来焙烤所述衬底、由蚀刻设备蚀刻所述图案等。另外，一个或更多个量测过程被包含于所述图案化过程中。

在图案化过程期间的各个步骤处使用量测过程以监测和/或控制所述过程。例如，量测过程被用于测量衬底的一个或更多个特性，诸如在所述图案化过程期间形成在所述衬底上的特征的相对部位/位置(例如，配准、重叠、对准等)或尺寸(例如，线宽、临界尺寸(CD)、厚度等)，使得例如可以根据所述一个或更多个特性来确定所述图案化过程的性能。如果所述一个或更多个特性是不可接受的(例如，在特性的预定范围之外)，则可以例如基于所述一个或更多个特性的测量结果来设计或变更所述图案化过程的一个或更多个变量，使得由所述图案化过程制造的衬底具有可接受的特性。

随着光刻和其它图案化过程技术的进步，功能元件的尺寸已经持续减小，而每器件的所述功能元件(诸如晶体管)的量在过去几十年来已稳定地增加。同时，在重叠、临界尺寸等方面的准确度即精度的要求已变得越来越严格。将不可避免地在所述图案化过程中产生误差(诸如重叠中的误差、CD中的误差等)。例如，可能由光学像差、图案形成装置加热、图案形成装置误差、和/或衬底加热产生成像误差，并且可以依据例如重叠、CD等来表征成像误差。另外或替代地，可能在所述图案化过程的其它部分中(诸如在蚀刻、显影、焙烤等中)引入所述误差，并且类似地可以依据例如重叠、CD等来表征所述误差。所述误差可能在所述器件的功能运作方面导致问题，包括所述器件的功能失效、污染物、或功能器件的一个或更多个电气问题。如此，由于低效处理、浪费、和处理延迟，则这些误差也可能促成成本增加。