[发明专利]使用了磁阻效应元件的磁传感器以及电流传感器在审

专利信息
申请号: 202180010666.3 申请日: 2021-01-20
公开(公告)号: CN115004041A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 井出洋介 申请(专利权)人: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20;G01R33/02;G01R33/04;G01R33/09
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 房永峰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 磁阻 效应 元件 传感器 以及 电流传感器
【权利要求书】:

1.一种磁传感器,具备由磁阻效应元件构成的磁场检测部、反馈线圈以及屏蔽件,其特征在于,

上述反馈线圈与上述磁场检测部重叠地配置,

上述屏蔽件与上述反馈线圈重叠地配置,

上述屏蔽件的从其法线方向观察时的形状为环状。

2.一种磁传感器,具备由磁阻效应元件构成的磁场检测部、反馈线圈以及屏蔽件,其特征在于,

上述反馈线圈与上述磁场检测部重叠地配置,

上述屏蔽件与上述反馈线圈重叠地配置,

上述屏蔽件具有:

内侧屏蔽件,被配置为使施加于上述磁场检测部的被测定磁场的强度减弱;以及外侧屏蔽件,被配置为使施加于上述内侧屏蔽件的上述被测定磁场的强度减弱。

3.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

在上述内侧屏蔽件中,上述被测定磁场的方向与上述反馈线圈的抵消磁场的方向相同,

在上述外侧屏蔽件中,具有上述被测定磁场的方向与上述反馈线圈的上述抵消磁场的方向相反的部分。

4.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

上述反馈线圈具备第一线圈部以及第二线圈部,

上述第一线圈部和上述第二线圈部被配置为从上述内侧屏蔽件的法线方向观察时的形状夹着与上述磁阻效应元件的灵敏度方向正交的假想中心线呈线对称。

5.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

上述外侧屏蔽件被形成为包围上述内侧屏蔽件。

6.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

上述外侧屏蔽件被形成为环状。

7.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

上述内侧屏蔽件的从其法线方向观察时的形状为大致矩形。

8.根据权利要求2所述的磁传感器,其中,

上述外侧屏蔽件的宽度为上述内侧屏蔽件的宽度以下。

9.根据权利要求4所述的磁传感器,其中,

上述磁场检测部是配置有四个上述磁阻效应元件的全桥电路,

四个上述磁阻效应元件被设置为在从上述内侧屏蔽件的法线方向观察时与上述假想中心线重叠。

10.一种电流传感器,其特征在于,具备权利要求1或2所述的磁传感器。

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