[发明专利]使用了磁阻效应元件的磁传感器以及电流传感器

说明书

磁传感器(13)具备：由磁阻效应元件(122a～122d)构成的磁场检测部(122)、反馈线圈(121)以及屏蔽件(124)。反馈线圈(121)与磁场检测部(122)重叠地配置，屏蔽件(124)与反馈线圈(121)重叠地配置，因此，由于反馈线圈(121)的抵消磁场而难以磁饱和。屏蔽件(124)的从其法线方向观察时的形状为环状，因此，能够维持屏蔽件(124)的磁场遮蔽作用从而提高对灵敏度正交方向的磁场进行屏蔽的效果。

技术领域

本发明涉及具有反馈线圈以及屏蔽件的、使用了磁阻效应元件的磁传感器以及电流传感器。

背景技术

在电动汽车等的马达驱动技术等领域中会使用比较大的电流，因此需要能够非接触地测定大电流的传感器。并且，作为这样的传感器，通过磁传感器对被测定电流所产生的磁场的变化进行检测的方式的电流传感器被实用化。在该方式的电流传感器中，为了减少磁传感器所受到的外部磁场，有时会设置成为外部磁场的屏蔽件的部件。通过设置这样的屏蔽件，对灵敏度正交方向的磁场的正交磁场耐性提高，此外，磁传感器所受到的磁场强度变小，实质上能够测定的磁场强度的上限变高，能够扩大电流传感器的可测定范围(动态范围)。

在专利文献1中，以减小外部磁场并且抑制磁滞的影响为目的，记载有具备磁阻效应元件、磁屏蔽件以及反馈线圈的电流传感器，其中，磁屏蔽件被构成为包括平板状的第一磁屏蔽件以及在第一磁屏蔽件的主表面的面内方向上与第一磁屏蔽件分离地配置的平板状的第二磁屏蔽件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2013－53903号公报

发明内容

发明所要解决的问题

对于专利文献1的电流传感器，为了抑制由第一磁屏蔽件的剩余磁化产生的闭合磁场对磁阻效应元件的影响，在第一磁屏蔽件的灵敏度方向两侧配置有第二磁屏蔽件。但是，由于第二磁屏蔽件配置于不与反馈线圈重叠的位置，因此，无法使用来自反馈线圈的磁来抑制第二磁屏蔽件的磁饱和。若第二磁屏蔽件发生磁饱和，则无法减小干扰磁场(干扰磁场)，因此，对灵敏度正交方向的磁场的屏蔽效果、从表面上看增大第一磁屏蔽件的各向异性磁场的效果不足。

本发明的课题是提供对灵敏度正交方向的磁场进行屏蔽的效果好的、正交磁场耐性优良的磁传感器以及电流传感器。

此外，本发明的另一课题是提供使施加于磁场检测部的被测定磁场的强度减弱的屏蔽件的各向异性磁场大且可测定范围广的磁传感器以及电流传感器。

用于解决问题的方案

本发明的磁传感器是具备由磁阻效应元件构成的磁场检测部、反馈线圈以及屏蔽件的磁传感器，其特征在于，上述反馈线圈与上述磁场检测部重叠地配置，上述屏蔽件与上述反馈线圈重叠地配置，上述屏蔽件的从其法线方向观察时的形状为环状。

由于屏蔽件与反馈线圈重叠地配置，因此，能够通过抵消磁场使屏蔽件难以磁饱和。因此，能够维持由屏蔽件实现的磁场遮蔽作用从而使磁传感器的正交磁场耐性提高。

本发明的磁传感器是具备由磁阻效应元件构成的磁场检测部、反馈线圈以及屏蔽件的磁传感器，其特征在于，上述反馈线圈与上述磁场检测部重叠地配置，上述屏蔽件与上述反馈线圈重叠地配置，上述屏蔽件具有：内侧屏蔽件，被配置为减弱施加于上述磁场检测部的被测定磁场的强度；以及外侧屏蔽件，被配置为减弱施加于上述内侧屏蔽件的上述被测定磁场的强度。