[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202180010705.X 申请日: 2021-07-01
公开(公告)号: CN115004359A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 矶崎诚 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周爽;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

绝缘电路基板,其包括基底板、形成在所述基底板的正面的树脂层、以及形成在所述树脂层的树脂正面的电路图案;以及

半导体芯片,其在俯视时呈矩形,并且以使侧端部从所述电路图案的外周端部向内侧离开预定的距离以上的方式接合在所述电路图案的电路正面,

所述预定的距离和所述电路图案的厚度分别为所述半导体芯片的一边的长度的0.1倍以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置还具有另一个半导体芯片,该另一个半导体芯片在侧视时与所述半导体芯片相邻而接合在所述电路图案的所述电路正面,

所述半导体芯片和所述另一个半导体芯片的在侧视时彼此对置的侧端部之间的间隙分离所述预定的距离的2倍以上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置还具有布线部件,该布线部件接合在所述间隙处的所述电路图案的所述电路正面。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置在所述间隙处的所述电路图案的所述电路正面还具有槽部,在俯视时,该槽部形成为与所述半导体芯片和所述另一个半导体芯片平行。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,

所述槽部的深度形成为不到达所述电路图案中的热扩散部的最外区域,该热扩散部是发自所述半导体芯片的热在所述电路图案中以在侧视时随着向所述树脂层行进而扩展的方式扩散的部分。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电路图案的电路背面位于比所述树脂层的所述树脂正面更靠所述基底板侧的位置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述电路图案以所述电路正面与所述树脂层的所述树脂正面呈大致同一平面的方式埋设于所述树脂层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述电路图案以不涉及到所述电路图案中的热扩散部的最外区域的方式被倒角,该热扩散部是发自所述半导体芯片的热在所述电路图案中以在侧视时随着向所述树脂层行进而扩展的方式扩散的部分。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述电路图案在靠所述树脂层侧形成有塌边,并且在靠所述电路正面侧形成有毛刺。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

在所述树脂层的所述树脂正面形成有所述电路图案、以及不配置所述半导体芯片的非配置电路图案,

所述非配置电路图案的厚度比所述电路图案的厚度薄。

11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,

所述非配置电路图案是与所述半导体芯片的控制电极电连接的控制电路图案。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体芯片的所述一边的长度为5.5mm以下。

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