[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供降低因热量引起的翘曲的产生的半导体装置。绝缘电路基板(2)所包括的基底板(5)、树脂层(4)及电路图案(3)的热膨胀系数之差小，能够减小因热量引起的绝缘电路基板(2)的翘曲。另外，半导体芯片(6a、6b)以使侧端部从电路图案(3)的外周端部向内侧离开预定的距离D1以上的方式接合在电路图案(3)的电路正面。因此，半导体芯片(6a、6b)所对应的电路图案(3)的热扩散部(7a、7b)不被干涉，能够抑制电路图案(3)相对于半导体芯片(6a、6b)的散热性的降低。因此，能够抑制半导体装置(1)的散热性的降低以及长期可靠性的降低。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

半导体装置包括功率设备。功率设备是例如具备IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)的半导体芯片。半导体装置具备供上述半导体芯片配置的绝缘电路基板。绝缘电路基板包括陶瓷板、形成在该陶瓷板的正面的电路图案、以及形成在该陶瓷板的背面的金属板。半导体芯片接合在电路图案上。此外，对于半导体装置而言，壳体包围绝缘电路基板的外周端部并通过粘接剂与绝缘电路基板接合。壳体被嵌入成型有输入输出用的引线框架。在壳体内，半导体芯片和引线框架之间通过导线而电连接(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-139406号公报

发明内容

技术问题

但是，上述绝缘电路基板在陶瓷板的热膨胀系数与电路图案的热膨胀系数、以及陶瓷板的热膨胀系数与金属板的热膨胀系数上有差异。因此，绝缘电路基板因发自半导体芯片的热而产生较大的翘曲。另外，若绝缘电路基板因半导体装置的热循环而反复产生翘曲，则有可能导致在陶瓷板上产生裂纹，进而有可能导致已产生的裂纹伸展。若陶瓷板受到这样的损伤，则导致绝缘电路基板的导热性和绝缘性降低，导致半导体装置的长期可靠性降低。

本发明是鉴于这样的问题而做出的，其目的在于提供一种降低因热量而引起的翘曲的产生的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：绝缘电路基板，其包括基底板、形成在所述基底板的正面的树脂层、以及形成在所述树脂层的树脂正面的电路图案；以及半导体芯片，其在俯视时呈矩形，并且以使侧端部从所述电路图案的外周端部向内侧离开预定的距离以上的方式接合在所述电路图案的电路正面，所述预定的距离和所述电路图案的厚度分别为所述半导体芯片的一边的长度的0.1倍以上。

技术效果

根据公开的技术，能够降低翘曲的产生，并能够抑制半导体装置的长期可靠性的降低。

本发明的上述以及其他的目的、特征以及优点通过与附图相关联的以下的说明而变得明确，该附图表示作为本发明的例子而优选的实施方式。

附图说明

图1是用于说明第一实施方式的半导体装置的图。

图2是第二实施方式的半导体装置的截面图。

图3是第二实施方式的半导体装置的俯视图。

图4是用于说明第二实施方式的电路图案的图。

图5是第二实施方式的半导体装置的主要部分截面图(其一)。

图6是第二实施方式的半导体装置的主要部分截面图(其二)。

图7是第三实施方式的半导体装置的主要部分截面图。