[发明专利]由有机钌化合物构成的化学蒸镀用原料及使用该化学蒸镀用原料的化学蒸镀法在审
申请号: | 202180011325.8 | 申请日: | 2021-01-28 |
公开(公告)号: | CN115003855A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 原田了辅;津川智广;大武成行;李承俊;小次洋平 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C07F15/00;H01L21/285 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 常海涛;金小芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 化合物 构成 化学 蒸镀用原 料及 使用 蒸镀用 原料 蒸镀法 | ||
本发明涉及化学蒸镀法用的有机钌化合物原料。有机钌化合物是三亚甲基甲烷系配体(L1)、2个羰基配体以及配体X与2价的钌配位而得的由下述化学式1的式子表示。在化学式1中,三亚甲基甲烷系配体(L1)由下述化学式2的式子表示。另外,配体X为异氰配体、吡啶配体、胺配体、咪唑配体、哒嗪配体、嘧啶配体、吡嗪配体中的任一者,[化学式1]RuL1(CO)2X[化学式2]在上式中,配体L1的取代基R为氢、或者预定的碳原子数的烷基、环状烷基、烯基、炔基、氨基中的任一者。
技术领域
本发明涉及由用于通过化学蒸镀法(化学气相蒸镀法(CVD法)、原子层蒸镀法(ALD法))制造钌薄膜或钌化合物薄膜的有机钌化合物构成的化学蒸镀用原料。具体而言,涉及分解温度低且具有适度的热稳定性的化学蒸镀用原料。
背景技术
使用由钌或钌化合物构成的薄膜作为DRAM、FERAM等半导体器件的布线/电极材料。作为这些薄膜的制造法,应用了CVD法(化学气相蒸镀法)、ALD法(原子层沉积法)之类的化学蒸镀法。作为这样的化学蒸镀法中所使用的原料(前驱体),一直以来已知的有许多有机钌化合物。
作为化学蒸镀用原料的有机钌化合物,例如专利文献1中公开了配位有作为环状二烯基的环戊二烯基或其衍生物的由化学式1表示的二(乙基环戊二烯基)钌(II)。已知的是,该有机钌化合物从很早以前就作为化学蒸镀用的原料化合物。
[化学式1]
另外,以环己二烯基和羰基为配体的化学式2的(1,3-环己二烯)三羰基钌也可以用作作为化学蒸镀用原料的有机钌化合物(专利文献3、非专利文献1)。
[化学式2]
此外,作为与钌配位的配体,应用了β-二酮配体的有机钌化合物也是有用的。例如,在专利文献2中,已知有:配位有四甲基庚二酮和羰基的由化学式3表示的二羰基-双(四甲基庚二酮)钌、配位有作为β-二酮配体的3个乙酰丙酮的由化学式4表示的三(乙酰丙酮)钌。另外,专利文献4公开了由化学式5表示的二羰基-双(5-甲基-2,4-己二酮)钌。
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-281694号公报
专利文献2:美国专利第6303809号公报
专利文献3:美国专利第5962716号公报
专利文献4:日本特开2012-006858号公报
非专利文献
非专利文献1:Materials Research Society Symposium B-Materials,Processes,Intergration and Reliability in Advanced Interconnects for Micro-and Nanoelectronics,2007,990.0990-B08-01
发明内容
发明所要解决的课题
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的