[发明专利]用于氧化铝表面恢复的方法和装置

权利要求书

1.一种清洁基板的表面的方法，包含以下步骤：

在所述基板的表面上施加醇处置，所述醇处置配置成提供表面还原；和

将水处置施加至所述基板的所述表面，所述水处置配置成通过从所述表面的至少一部分移除醇，为后续的屏障层工艺增强所述基板的所述表面的所述至少一部分的选择性。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述醇处置和所述水处置同时地实行。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述水处置在大约摄氏60度至大约摄氏450度的温度下实行。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述水处置在大于零Torr至大约1Torr的压力下实行。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述水处置在大约500mTorr的压力下实行。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述水处置包括以下步骤：使液态水在所述基板的所述表面上方流动。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述液态水在所述基板的所述表面上方流动达大约10秒至大约60秒的持续时间。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述水处置包括以下步骤：将所述基板的所述表面暴露至自由基，所述自由基来自以水产生的等离子体。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述水处置具有大约5秒至大约120秒的持续时间。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述水处置包括水处置混合物，所述水处置混合物包括载气和用以产生所述等离子体的水。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述水处置混合物具有大于零至大约100％的水。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述水处置混合物具有大约50％的水。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述载气为氦或氩。

14.一种清洁基板的表面的方法，包含以下步骤：

在所述基板的表面上施加醇处置，所述醇处置配置成提供表面还原；和

在大约摄氏60度至大约摄氏450度的温度下，和大于零Tor至大约1

Torr的压力下，将水处置施加至所述基板的所述表面达大约5秒至大约120秒的持续时间，其中所述水处置包括以下步骤：将所述基板的所述表面暴露至通过将水处置混合物注入至等离子体中而生成的氢自由基或氧自由基，且其中所述水处置配置成通过从所述表面的一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强所述基板的所述表面的至少所述部分的选择性。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述水处置混合物包括水和载气。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述载气为氦或氩。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述水处置混合物含有大于零至大约100％的水。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述水处置混合物含有大约50％的水和大约50％的所述载气。

19.一种非暂时性计算机可读介质，具有存储在所述非暂时性计算机可读介质上的指令，当执行时，造成实行用于清洁基板的表面的方法，所述方法包含以下步骤：

在所述基板的表面上施加醇处置，所述醇处置配置成提供表面还原；和

将水处置施加至所述基板的所述表面，所述水处置配置成通过从所述表面的至少一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强所述基板的所述表面的所述至少一部分的选择性。

20.如权利要求19所述的非暂时性计算机可读介质，进一步包含：

在实行所述醇处置之后，随着所述水处置使液态水在所述基板的所述表面上方流动；

同时地实行所述醇处置和所述水处置；或

以由注入至等离子体中的水生成的氢自由基或氧自由基暴露所述基板的所述表面。