[发明专利]用于氧化铝表面恢复的方法和装置

说明书

一种清洁基板的表面的方法使用醇处置和水处置。所述方法可包括在基板的表面上施加醇处置，其中醇处置配置成提供表面还原；和将水处置施加至基板的表面，其中水处置配置成通过从表面的至少一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强基板的表面的至少一部分的选择性。水处置可与醇处置同时实行，或在醇处置之后实行。水处置可包括注入至等离子体中的汽化的水或水，以产生氢或氧自由基。

技术领域

本原理的实施方式总体涉及半导体基板的半导体处理。

背景技术

配置成实行预清洁工艺的工艺腔室配置成在基板上沉积一个或多个屏障层(barrier layer)之前移除在基板的金属接触垫上的天然氧化物且移除其他材料。预清洁腔室通常使用离子轰击(通过RF等离子体引发)以通过从基板蚀刻天然氧化物来移除金属接触件(contact)上的天然氧化物，或使用自由基(通过远程等离子体生成)来以化学反应从基板减少金属。在某些情况中，使用醇还原天然氧化物。预清洁工艺降低在基板上金属接触件的接触电阻，以增强在基板上的集成电路的性能和功率消耗且提升粘附力。为了实行等离子体清洁工艺，包含集成电路的基板放置在远程等离子体腔室中，且泵从腔室移除大部分空气。电磁能量(例如，射频)在远程等离子体源中施加至注入的气体，诸如氩或氢之类，以将注入的气体激发成等离子体状态。等离子体释放离子或自由基，而从基板移除污染物和/或材料。污染物和/或基板材料的原子或分子被从基板蚀刻，且大部分被抽吸离开腔室。然而，发明人已观察到在清洁工艺之后醇可能仍会遗留在基板上。残留的醇接着影响后续工艺，诸如屏障层形成之类。

相应地，发明人已提供改善的方法和装置，以从基板表面移除残留的醇。

发明内容

本文提供用于从基板表面移除残留的醇的方法和装置。

在某些实施方式中，一种清洁基板的表面的方法可包含在基板的表面上施加醇处置，醇处置配置成提供表面还原；和将水处置施加至基板的表面，水处置配置成通过从表面的至少一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强基板的表面的至少一部分的选择性。

在某些实施方式中，方法可进一步包括其中醇处置和水处置同时实行；其中水处置在大约摄氏60度至大约摄氏450度的温度下实行；其中水处置在大于零Torr至大约1Torr的压力下实行；其中水处置在大约500mTorr的压力下实行；其中水处置包括使汽化的水在基板的表面上方流动；其中汽化的水在基板的表面上方流动达大约10秒至大约60秒的持续时间；其中水处置包括将基板的表面暴露至来自以水产生的等离子体的自由基；其中水处置具有大约5秒至大约120秒的持续时间；其中水处置包括水处置混合物，水处置混合物包括载气和用以产生等离子体的水；其中水处置混合物具有大于零至大约100％的水；其中水处置混合物具有大约50％的水；并且/或者其中载气为氦或氩。

在某些实施方式中，一种清洁基板的表面的方法可包含在基板的表面上施加醇处置，醇处置配置成提供表面还原；和在大约摄氏60度至大约摄氏450度的温度下，和大于零Tor至大约1Torr的压力下，将水处置施加至基板的表面达大约5秒至大约120秒的持续时间，其中水处置包括将基板的表面暴露至通过将水处置混合物注入至等离子体中而生成的氢自由基或氧自由基，且其中水处置配置成通过从表面的一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强基板的表面的至少所述部分的选择性。

在某些实施方式中，方法可进一步包括其中水处置混合物包括水和载气；其中载气为氦或氩；其中水处置混合物含有大于零至大约100％的水；并且/或者其中水处置混合物含有大约50％的水和大约50％的载气。

在某些实施方式中，一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质具有储存在该介质上的指令，当执行时，造成实行用于清洁基板的表面的方法，方法可包含：在基板的表面上施加醇处置，醇处置配置成提供表面还原；和将水处置施加至所述基板的表面，水处置配置成通过从表面的至少一部分移除醇，为后续屏障层工艺增强基板的表面的至少一部分的选择性。