[发明专利]用于多电子束系统的微像差补偿器阵列有效
申请号: | 202180012116.5 | 申请日: | 2021-02-03 |
公开(公告)号: | CN115053318B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 姜辛容;C·西尔斯 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/153 | 分类号: | H01J37/153;H01J37/06;H01J37/10;H01J37/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘丽楠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子束 系统 微像差 补偿 阵列 | ||
1.一种电子束系统,其包括:
电子源;
微透镜阵列(MLA),其经配置以接收来自所述电子源的一或多个一次电子束且将所述一或多个一次电子束分割成多个一次细电子束;
微像差补偿器阵列MSA,其包括多个十二极静电像差补偿器,其中所述MSA经配置以消除所述多个一次细电子束的四阶聚焦像差或六阶聚焦像差中的至少一者,其中所述多个十二极静电像差补偿器的每一十二极静电像差补偿器包括十二个导电板,其中将第一聚焦电压施加于所述多个十二极静电像差补偿器的每一十二极静电像差补偿器的第一导电板、第三导电板、第五导电板、第七导电板、第九导电板及第十一导电板,且其中将第二聚焦电压施加于第二导电板、第四导电板、第六导电板、第八导电板、第十导电板及第十二导电板;及
投影光学器件,其经配置以接收所述多个一次细电子束且将所述多个一次细电子束聚焦到样本的表面上。
2.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述MSA包括:
绝缘体衬底;
多个十二极静电像差补偿器,其安置于所述绝缘体衬底上;及
多个电压连接线,其安置于所述绝缘体衬底上,所述多个电压连接线经配置以经由多个连接销将所述多个十二极静电像差补偿器电耦合到一或多个电压源,其中所述一或多个电压源经配置以将一或多个聚焦电压施加到所述多个十二极静电像差补偿器的每一十二极静电像差补偿器。
3.根据权利要求2所述的电子束系统,其中所述多个十二极静电像差补偿器的每一十二极静电像差补偿器使用单个电压连接线耦合到所述一或多个电压源。
4.根据权利要求1所述的电子束系统,其进一步包括包含一或多个处理器及存储器的控制器,其中所述一或多个处理器经配置以调整施加到所述多个十二极静电像差补偿器的每一十二极静电像差补偿器的所述一或多个聚焦电压。
5.根据权利要求4所述的电子束系统,其中所述一或多个处理器进一步经配置以选择性调整所述一或多个聚焦电压以选择性移除所述多个一次细电子束的每一一次细电子束的八极场及十二极场。
6.根据权利要求4所述的电子束系统,其中所述一或多个处理器进一步经配置以调整所述一或多个聚焦电压以个别调整一晶片平面处的所述多个一次细电子束的每一一次细电子束的位置。
7.根据权利要求1所述的电子束系统,其进一步包括经配置以接收来自所述电子源的所述一次电子束且将所述一次电子束引导到所述微透镜阵列(MLA)的限束孔隙(BLA)。
8.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述投影光学器件包括转移透镜及物镜。
9.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述电子源包括热场发射(TFE)源。
10.根据权利要求1所述的电子束系统,其中所述第二聚焦电压包括零伏特(0V)。
11.根据权利要求1所述的电子束系统,
其中所述多个十二极静电像差补偿器的每一十二极静电像差补偿器包括十二个导电板,
其中所述十二个导电板的每一导电板由间隙角δ分离,
其中第一导电板、第四导电板、第七导电板及第十导电板由板角2α界定,且
其中第二导电板、第三导电板、第五导电板、第六导电板、第八导电板、第九导电板、第十一导电板及第十二导电板由一板角β界定,使得β=45°-α-(3δ/2)。
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